固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2001年
3期
276-280
,共5页
徐红钢%陈效建%高建峰%郝西萍
徐紅鋼%陳效建%高建峰%郝西萍
서홍강%진효건%고건봉%학서평
铟镓磷/砷化镓%二维空穴气%价带不连续性%p沟异质结场效应晶体管
銦鎵燐/砷化鎵%二維空穴氣%價帶不連續性%p溝異質結場效應晶體管
인가린/신화가%이유공혈기%개대불련속성%p구이질결장효응정체관
提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管(pHFET)概念,器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气(2DHG)原理以改善GaAs的空穴输运特性.据此原理研制的器件可在室温下工作,其实验结果为:室温下,饱和电流Idss＝61 mA/mm,跨导gm＝41 mS/mm;77 K下,饱和电流Idss＝94 mA/mm,跨导gm＝61 mS/mm.预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益,因而具有良好的应用潜力.
提齣瞭一種新穎的GaAs基p溝異質結場效應管(pHFET)概唸,器件採用瞭In0.5Ga0.5P/GaAs異質繫統及二維空穴氣(2DHG)原理以改善GaAs的空穴輸運特性.據此原理研製的器件可在室溫下工作,其實驗結果為:室溫下,飽和電流Idss＝61 mA/mm,跨導gm＝41 mS/mm;77 K下,飽和電流Idss＝94 mA/mm,跨導gm＝61 mS/mm.預計該器件在微波和數字電路中極佳的電流密度及高頻增益,因而具有良好的應用潛力.
제출료일충신영적GaAs기p구이질결장효응관(pHFET)개념,기건채용료In0.5Ga0.5P/GaAs이질계통급이유공혈기(2DHG)원리이개선GaAs적공혈수운특성.거차원리연제적기건가재실온하공작,기실험결과위:실온하,포화전류Idss＝61 mA/mm,과도gm＝41 mS/mm;77 K하,포화전류Idss＝94 mA/mm,과도gm＝61 mS/mm.예계해기건재미파화수자전로중겁가적전류밀도급고빈증익,인이구유량호적응용잠력.
