强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2006年
4期
583-586
,共4页
王坤鹏%张建秀%房昌水%于文涛%王圣来%顾庆天%孙洵
王坤鵬%張建秀%房昌水%于文濤%王聖來%顧慶天%孫洵
왕곤붕%장건수%방창수%우문도%왕골래%고경천%손순
KDP晶体%K空位%激光损伤%第一性原理
KDP晶體%K空位%激光損傷%第一性原理
KDP정체%K공위%격광손상%제일성원리
用基于密度泛函理论及超软赝势的第一性原理研究了KH2PO4(KDP)晶体中K空位的电子结构、形成能及驰豫构型.讨论了K空位形成后电荷密度的重新分布、相应的电子态密度和能带结构等性质.计算得到中性K空位的形成能为6.5 eV, 远小于间隙K原子点缺陷形成能13.07 eV.K空位的存在使晶胞体积增大, 分别沿结晶学轴a方向增大近0.8%,b方向增大近0.87%,c方向增大近1.2%,同时使与之配位的8个氧原子发生较大位移,使这8个氧形成的空腔体积增大近3.2%.空腔体积的增大不仅促进了各种点缺陷的扩散迁移,而且有利于其它杂质原子的填隙.K原子迁移率的增大会引起离子电导率的增大,因而会降低KDP的激光损伤阈值,因此从这个方面讲,K空位的存在是不利的.但是如果能从实验上(如热退火)利用K空位所造成的扩散通道排出或改善缺陷结构,则可提高KDP晶体的光学质量.
用基于密度汎函理論及超軟贗勢的第一性原理研究瞭KH2PO4(KDP)晶體中K空位的電子結構、形成能及馳豫構型.討論瞭K空位形成後電荷密度的重新分佈、相應的電子態密度和能帶結構等性質.計算得到中性K空位的形成能為6.5 eV, 遠小于間隙K原子點缺陷形成能13.07 eV.K空位的存在使晶胞體積增大, 分彆沿結晶學軸a方嚮增大近0.8%,b方嚮增大近0.87%,c方嚮增大近1.2%,同時使與之配位的8箇氧原子髮生較大位移,使這8箇氧形成的空腔體積增大近3.2%.空腔體積的增大不僅促進瞭各種點缺陷的擴散遷移,而且有利于其它雜質原子的填隙.K原子遷移率的增大會引起離子電導率的增大,因而會降低KDP的激光損傷閾值,因此從這箇方麵講,K空位的存在是不利的.但是如果能從實驗上(如熱退火)利用K空位所造成的擴散通道排齣或改善缺陷結構,則可提高KDP晶體的光學質量.
용기우밀도범함이론급초연안세적제일성원리연구료KH2PO4(KDP)정체중K공위적전자결구、형성능급치예구형.토론료K공위형성후전하밀도적중신분포、상응적전자태밀도화능대결구등성질.계산득도중성K공위적형성능위6.5 eV, 원소우간극K원자점결함형성능13.07 eV.K공위적존재사정포체적증대, 분별연결정학축a방향증대근0.8%,b방향증대근0.87%,c방향증대근1.2%,동시사여지배위적8개양원자발생교대위이,사저8개양형성적공강체적증대근3.2%.공강체적적증대불부촉진료각충점결함적확산천이,이차유리우기타잡질원자적전극.K원자천이솔적증대회인기리자전도솔적증대,인이회강저KDP적격광손상역치,인차종저개방면강,K공위적존재시불리적.단시여과능종실험상(여열퇴화)이용K공위소조성적확산통도배출혹개선결함결구,칙가제고KDP정체적광학질량.
