半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
11期
839-842
,共4页
成立%李加元%李华乐%李岚%王振宇
成立%李加元%李華樂%李嵐%王振宇
성립%리가원%리화악%리람%왕진우
集成电路%铜互连%低k介质%双嵌入(双大马士革)工艺%淀积%化学机械抛光
集成電路%銅互連%低k介質%雙嵌入(雙大馬士革)工藝%澱積%化學機械拋光
집성전로%동호련%저k개질%쌍감입(쌍대마사혁)공예%정적%화학궤계포광
在简要介绍多层互连材料的基础上,论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术,包括"Cu线+低k双大马士革"多层互连结构、平坦化技术、CMP工艺、"Cu+双大马士革+低k"技术、插塞和金属通孔填充工艺等,并提出了一些多层互连工艺中的关键技术措施.
在簡要介紹多層互連材料的基礎上,論述瞭若榦種IC芯片製備中的多層互連技術,包括"Cu線+低k雙大馬士革"多層互連結構、平坦化技術、CMP工藝、"Cu+雙大馬士革+低k"技術、插塞和金屬通孔填充工藝等,併提齣瞭一些多層互連工藝中的關鍵技術措施.
재간요개소다층호련재료적기출상,논술료약간충IC심편제비중적다층호련기술,포괄"Cu선+저k쌍대마사혁"다층호련결구、평탄화기술、CMP공예、"Cu+쌍대마사혁+저k"기술、삽새화금속통공전충공예등,병제출료일사다층호련공예중적관건기술조시.
