材料工程
材料工程
재료공정
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING
2008年
10期
169-172
,共4页
杨沁玉%刘磊%丁可%张菁%王庆瑞
楊沁玉%劉磊%丁可%張菁%王慶瑞
양심옥%류뢰%정가%장정%왕경서
占空比%拉曼光谱%多孔氧化硅
佔空比%拉曼光譜%多孔氧化硅
점공비%랍만광보%다공양화규
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以硅烷为源气体,在玻璃基片上沉积得到多孔的氧化硅薄膜.将反应过程中加在沉积区域的脉冲负偏压固定在-300V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜样品的结构、形貌均不相同.拉曼光谱显示,位于480cm-1附近的峰在低占空比条件下存在,但是当占空比升高到0.702时该峰基本消失.位于560cm-1附近的峰则随着占空比的继续升高而增强,并出现蓝移,这说明薄膜样品中的非晶硅在占空比升高时消失,氧化硅所占比例不断增加,同时颗粒变小.扫描电镜照片也表明,组成多孔氧化硅薄膜的颗粒在占空比增大时变得细腻并且薄膜整体变得蓬松多孔.
用等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)的方法,以硅烷為源氣體,在玻璃基片上沉積得到多孔的氧化硅薄膜.將反應過程中加在沉積區域的脈遲負偏壓固定在-300V,噹佔空比從0.162增大到0.864時,薄膜樣品的結構、形貌均不相同.拉曼光譜顯示,位于480cm-1附近的峰在低佔空比條件下存在,但是噹佔空比升高到0.702時該峰基本消失.位于560cm-1附近的峰則隨著佔空比的繼續升高而增彊,併齣現藍移,這說明薄膜樣品中的非晶硅在佔空比升高時消失,氧化硅所佔比例不斷增加,同時顆粒變小.掃描電鏡照片也錶明,組成多孔氧化硅薄膜的顆粒在佔空比增大時變得細膩併且薄膜整體變得蓬鬆多孔.
용등리자체증강화학기상침적(PECVD)적방법,이규완위원기체,재파리기편상침적득도다공적양화규박막.장반응과정중가재침적구역적맥충부편압고정재-300V,당점공비종0.162증대도0.864시,박막양품적결구、형모균불상동.랍만광보현시,위우480cm-1부근적봉재저점공비조건하존재,단시당점공비승고도0.702시해봉기본소실.위우560cm-1부근적봉칙수착점공비적계속승고이증강,병출현람이,저설명박막양품중적비정규재점공비승고시소실,양화규소점비례불단증가,동시과립변소.소묘전경조편야표명,조성다공양화규박막적과립재점공비증대시변득세니병차박막정체변득봉송다공.
