电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2010年
3期
443-446,453
,共5页
徐跃杭%国云川%徐锐敏%延波%吴韵秋
徐躍杭%國雲川%徐銳敏%延波%吳韻鞦
서약항%국운천%서예민%연파%오운추
金属半导体场效应晶体管%非线性模型%碳化硅%符号定义器件
金屬半導體場效應晶體管%非線性模型%碳化硅%符號定義器件
금속반도체장효응정체관%비선성모형%탄화규%부호정의기건
基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入,最终建立了SiC MESFET工艺的模型库.该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等,可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器.该模型在国内SiC MESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度.
基于TOM直流I-V模型和Angelov非線性電容模型,該文建立瞭適閤SiC MESFET的非線性模型,併利用符號定義器件(SDD)實現瞭在安捷倫ADS軟件中嵌入,最終建立瞭SiC MESFET工藝的模型庫.該非線性模型攷慮瞭擊穿特性、色散效應和自熱效應等,可進行直流、散射S參數和諧波平衡等ADS軟件中的倣真器.該模型在國內SiC MESFET工藝線上的驗證結果錶明模型具有較好的精度.
기우TOM직류I-V모형화Angelov비선성전용모형,해문건립료괄합SiC MESFET적비선성모형,병이용부호정의기건(SDD)실현료재안첩륜ADS연건중감입,최종건립료SiC MESFET공예적모형고.해비선성모형고필료격천특성、색산효응화자열효응등,가진행직류、산사S삼수화해파평형등ADS연건중적방진기.해모형재국내SiC MESFET공예선상적험증결과표명모형구유교호적정도.
