微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2005年
4期
364-366
,共3页
张正元%徐学良%税国华%曾莉%刘玉奎
張正元%徐學良%稅國華%曾莉%劉玉奎
장정원%서학량%세국화%증리%류옥규
SOI%窄沟槽刻蚀%多晶硅回填%平整化
SOI%窄溝槽刻蝕%多晶硅迴填%平整化
SOI%착구조각식%다정규회전%평정화
文章利用SOI材料片做衬底,开展了SOI电路窄沟槽隔离技术的研究,解决了窄槽刻蚀、多晶硅回填、平整化等技术难题,获得了优化的SOI电路窄沟槽隔离工艺技术条件;岛与岛之间的隔离击穿达到300 V,为下一步研制生产SOI电路打下了坚实的基础.
文章利用SOI材料片做襯底,開展瞭SOI電路窄溝槽隔離技術的研究,解決瞭窄槽刻蝕、多晶硅迴填、平整化等技術難題,穫得瞭優化的SOI電路窄溝槽隔離工藝技術條件;島與島之間的隔離擊穿達到300 V,為下一步研製生產SOI電路打下瞭堅實的基礎.
문장이용SOI재료편주츤저,개전료SOI전로착구조격리기술적연구,해결료착조각식、다정규회전、평정화등기술난제,획득료우화적SOI전로착구조격리공예기술조건;도여도지간적격리격천체도300 V,위하일보연제생산SOI전로타하료견실적기출.
