电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
7期
25-28
,共4页
王森%张跃%纪箴%黄运华%顾友松%周成
王森%張躍%紀箴%黃運華%顧友鬆%週成
왕삼%장약%기잠%황운화%고우송%주성
无机非金属材料%Y5V%钛酸钡%MLCC%介电常数%居里点
無機非金屬材料%Y5V%鈦痠鋇%MLCC%介電常數%居裏點
무궤비금속재료%Y5V%태산패%MLCC%개전상수%거리점
运用SEM和XRD等手段,研究了掺杂对Y5V钛酸钡陶瓷材料结构和性能的影响.SEM和能谱的研究结果表明:掺杂促进了材料的烧结,Nd5+聚集在晶界的位置,形成针状的晶粒.XRD结果表明,掺杂材料中有新相形成,掺杂组分能够促进钛酸钡材料居里点向低温方向移动,并促进介温曲线平滑.还发现,由于还原气氛烧结,材料中电导损耗增加导致介质损耗上升.
運用SEM和XRD等手段,研究瞭摻雜對Y5V鈦痠鋇陶瓷材料結構和性能的影響.SEM和能譜的研究結果錶明:摻雜促進瞭材料的燒結,Nd5+聚集在晶界的位置,形成針狀的晶粒.XRD結果錶明,摻雜材料中有新相形成,摻雜組分能夠促進鈦痠鋇材料居裏點嚮低溫方嚮移動,併促進介溫麯線平滑.還髮現,由于還原氣氛燒結,材料中電導損耗增加導緻介質損耗上升.
운용SEM화XRD등수단,연구료참잡대Y5V태산패도자재료결구화성능적영향.SEM화능보적연구결과표명:참잡촉진료재료적소결,Nd5+취집재정계적위치,형성침상적정립.XRD결과표명,참잡재료중유신상형성,참잡조분능구촉진태산패재료거리점향저온방향이동,병촉진개온곡선평활.환발현,유우환원기분소결,재료중전도손모증가도치개질손모상승.
