强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2006年
3期
487-490
,共4页
袁国火%杨怀民%徐曦%董秀成
袁國火%楊懷民%徐晞%董秀成
원국화%양부민%서희%동수성
FPGA%电离总剂量%辐照效应%加固方法
FPGA%電離總劑量%輻照效應%加固方法
FPGA%전리총제량%복조효응%가고방법
讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应,试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响,在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小,为12.16 Gy(Si);无偏置时FPGA失效阈最大,为33.2 Gy(Si).对芯片内部结构进行了辐射效应分析,并提出一些加固方法提高器件的抗总剂量能力,如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和隔离,以及选取适当的屏蔽材料对器件进行屏蔽.
討論瞭Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和無偏置條件下的γ電離總劑量效應,試驗結果錶明偏置條件對FPGA芯片電離總劑量效應有較大影響,在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效閾最小,為12.16 Gy(Si);無偏置時FPGA失效閾最大,為33.2 Gy(Si).對芯片內部結構進行瞭輻射效應分析,併提齣一些加固方法提高器件的抗總劑量能力,如電路設計中採用冗餘技術來實現對故障的檢測和隔離,以及選取適噹的屏蔽材料對器件進行屏蔽.
토론료Actel공사적FPGA심편A1280XL재유편치화무편치조건하적γ전리총제량효응,시험결과표명편치조건대FPGA심편전리총제량효응유교대영향,재유편치하FPGA심편A1280XL실효역최소,위12.16 Gy(Si);무편치시FPGA실효역최대,위33.2 Gy(Si).대심편내부결구진행료복사효응분석,병제출일사가고방법제고기건적항총제량능력,여전로설계중채용용여기술래실현대고장적검측화격리,이급선취괄당적병폐재료대기건진행병폐.
