航空兵器
航空兵器
항공병기
HANGKONG BINGQI
2008年
5期
62-64
,共3页
刘炜%彭震宇%鲁正雄%孙维国%司俊杰
劉煒%彭震宇%魯正雄%孫維國%司俊傑
류위%팽진우%로정웅%손유국%사준걸
InSb%探测器%钝化%阳极化%陷阱能级
InSb%探測器%鈍化%暘極化%陷阱能級
InSb%탐측기%둔화%양겁화%함정능급
使用阳极化钝化方法制造的InSb红外探测器,在可见光照射下,器件反偏漏电流大,零偏阻抗低.通过对其漏电流分析和制作MIS器件进行试验,发现阳极化层中的陷阱能级感应n型InSb表面产生反型,p/n结表面附近的反型层与P型层连接后起到分流电阻作用,导致器件电性能变差.
使用暘極化鈍化方法製造的InSb紅外探測器,在可見光照射下,器件反偏漏電流大,零偏阻抗低.通過對其漏電流分析和製作MIS器件進行試驗,髮現暘極化層中的陷阱能級感應n型InSb錶麵產生反型,p/n結錶麵附近的反型層與P型層連接後起到分流電阻作用,導緻器件電性能變差.
사용양겁화둔화방법제조적InSb홍외탐측기,재가견광조사하,기건반편루전류대,령편조항저.통과대기루전류분석화제작MIS기건진행시험,발현양겁화층중적함정능급감응n형InSb표면산생반형,p/n결표면부근적반형층여P형층련접후기도분류전조작용,도치기건전성능변차.
