人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
1期
166-169,175
,共5页
薄膜厚度%Mn-W 共掺杂 ZnO%透明导电薄膜%磁控溅射
薄膜厚度%Mn-W 共摻雜 ZnO%透明導電薄膜%磁控濺射
박막후도%Mn-W 공참잡 ZnO%투명도전박막%자공천사
利用直流磁控溅射法在低温玻璃衬底上制备了高导电透明的 Mn-W 共掺杂 ZnO(ZMWO)薄膜,并研究了厚度对薄膜结构、光学及电学性能的影响.X 射线衍射结果表明 ZMWO 均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的 c 轴择优取向.薄膜厚度对 ZMWO 薄膜的晶化程度、电阻率和方块电阻有很大影响.当薄膜厚度从97 nm 增大到456 nm 时,ZMWO 薄膜的晶化程度提高,而电阻率和方块电阻减小.当厚度为 456 nm 时,所制备ZMWO 薄膜的电阻率达到最小,其值仅为8.8×10-5 Ω·cm,方块电阻为1.9 Ω/□.所有薄膜样品在可见光区的平均透过率都较高,其值约为89%.当薄膜厚度从97 nm 增大到 456 nm时,光学带隙从3.41 eV增大到3.52 eV.
利用直流磁控濺射法在低溫玻璃襯底上製備瞭高導電透明的 Mn-W 共摻雜 ZnO(ZMWO)薄膜,併研究瞭厚度對薄膜結構、光學及電學性能的影響.X 射線衍射結果錶明 ZMWO 均為六方纖鋅礦結構的多晶薄膜,具有垂直于襯底方嚮的 c 軸擇優取嚮.薄膜厚度對 ZMWO 薄膜的晶化程度、電阻率和方塊電阻有很大影響.噹薄膜厚度從97 nm 增大到456 nm 時,ZMWO 薄膜的晶化程度提高,而電阻率和方塊電阻減小.噹厚度為 456 nm 時,所製備ZMWO 薄膜的電阻率達到最小,其值僅為8.8×10-5 Ω·cm,方塊電阻為1.9 Ω/□.所有薄膜樣品在可見光區的平均透過率都較高,其值約為89%.噹薄膜厚度從97 nm 增大到 456 nm時,光學帶隙從3.41 eV增大到3.52 eV.
이용직류자공천사법재저온파리츤저상제비료고도전투명적 Mn-W 공참잡 ZnO(ZMWO)박막,병연구료후도대박막결구、광학급전학성능적영향.X 사선연사결과표명 ZMWO 균위륙방섬자광결구적다정박막,구유수직우츤저방향적 c 축택우취향.박막후도대 ZMWO 박막적정화정도、전조솔화방괴전조유흔대영향.당박막후도종97 nm 증대도456 nm 시,ZMWO 박막적정화정도제고,이전조솔화방괴전조감소.당후도위 456 nm 시,소제비ZMWO 박막적전조솔체도최소,기치부위8.8×10-5 Ω·cm,방괴전조위1.9 Ω/□.소유박막양품재가견광구적평균투과솔도교고,기치약위89%.당박막후도종97 nm 증대도 456 nm시,광학대극종3.41 eV증대도3.52 eV.
