离子注入法制备GaAs量子阱集成多波长发光芯片
리자주입법제비GaAs양자정집성다파장발광심편
ION IMPLANTATION FABRICATED INTEGRATED GaAs QUANTUM WELL MULTI-WAVELENGTH LIGHT EMITTING CHIP
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2000年 3期 181-184 ,共4页

    李志锋%刘兴权%陈昌明%陆卫%沈学础%朱德彰%潘浩昌%胡军%李明乾

    리지봉%류흥권%진창명%륙위%침학출%주덕창%반호창%호군%리명건

    GaAs量子阱%离子注入%界面混合%光致发光 GaAs量子阱%離子註入%界麵混閤%光緻髮光
    GaAs양자정%리자주입%계면혼합%광치발광
    报道了用离子注入方法和组合技术制备的AlGaAs/GaAs单量子阱多波长发光集成芯片,利用量子阱界面混合原理在同一块GaAs衬底片上获得了20多个发光波长从787～724nm的GaAs量子阱发光单元,研究了不同剂量的As和H离子分别单独注入和迭加组合注入对量子阱发光峰位的影响,采用了组合技术和离子注入技术大大简化了制备工艺过程,这种发光芯片对于波分复用器件和建立离子注入数据库等方面都有重要的意义.
    보도료용리자주입방법화조합기술제비적AlGaAs/GaAs단양자정다파장발광집성심편,이용양자정계면혼합원리재동일괴GaAs츤저편상획득료20다개발광파장종787～724nm적GaAs양자정발광단원,연구료불동제량적As화H리자분별단독주입화질가조합주입대양자정발광봉위적영향,채용료조합기술화리자주입기술대대간화료제비공예과정,저충발광심편대우파분복용기건화건립리자주입수거고등방면도유중요적의의.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문