半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
9期
1690-1694
,共5页
刘珂%菅洪彦%黄晨灵%唐长文%闵昊
劉珂%菅洪彥%黃晨靈%唐長文%閔昊
류가%관홍언%황신령%당장문%민호
片上电感%品质因数%趋肤效应%临近效应%多电流路径%自谐振频率%串联电阻%寄生电容
片上電感%品質因數%趨膚效應%臨近效應%多電流路徑%自諧振頻率%串聯電阻%寄生電容
편상전감%품질인수%추부효응%림근효응%다전류로경%자해진빈솔%천련전조%기생전용
从电磁理论出发解释了片上电感电流分配的原因,得出小横界面积金属的趋肤效应弱,大的金属线宽和相邻金属间距比的偶耦合临近效应小的结论.采用4层金属的0.35μm标准CMOS工艺制造片上电感,将差分电感的单电流路径,分成多电流路径并联,在保持了电感的电学对称性的前提下,抑制了电感的电流拥挤效应,电感的最大品质因数提高了40%,同时降低了其自谐振频率.
從電磁理論齣髮解釋瞭片上電感電流分配的原因,得齣小橫界麵積金屬的趨膚效應弱,大的金屬線寬和相鄰金屬間距比的偶耦閤臨近效應小的結論.採用4層金屬的0.35μm標準CMOS工藝製造片上電感,將差分電感的單電流路徑,分成多電流路徑併聯,在保持瞭電感的電學對稱性的前提下,抑製瞭電感的電流擁擠效應,電感的最大品質因數提高瞭40%,同時降低瞭其自諧振頻率.
종전자이론출발해석료편상전감전류분배적원인,득출소횡계면적금속적추부효응약,대적금속선관화상린금속간거비적우우합림근효응소적결론.채용4층금속적0.35μm표준CMOS공예제조편상전감,장차분전감적단전류로경,분성다전류로경병련,재보지료전감적전학대칭성적전제하,억제료전감적전류옹제효응,전감적최대품질인수제고료40%,동시강저료기자해진빈솔.
