微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
3期
316-319
,共4页
速度过冲%电子温度%SiGe HBT%SiGeC HBT
速度過遲%電子溫度%SiGe HBT%SiGeC HBT
속도과충%전자온도%SiGe HBT%SiGeC HBT
建立了超薄基区SiGe和SiGeC HBT的速度过冲模型.通过求解能量平衡方程,得到电子温度分布,B-C结附近的电子温度远高于晶格温度.Ge的分布对SiGe BHT速度分布影响很大,对于线性分布,Ge梯度越大,速度过冲越明显;Ge梯度一样时,线性分布比梯形分布的速度大.梯形分布的SiGe HBT基区也发生速度过冲.SiGeC HBT速度过冲现象与SiGe HBT相似.
建立瞭超薄基區SiGe和SiGeC HBT的速度過遲模型.通過求解能量平衡方程,得到電子溫度分佈,B-C結附近的電子溫度遠高于晶格溫度.Ge的分佈對SiGe BHT速度分佈影響很大,對于線性分佈,Ge梯度越大,速度過遲越明顯;Ge梯度一樣時,線性分佈比梯形分佈的速度大.梯形分佈的SiGe HBT基區也髮生速度過遲.SiGeC HBT速度過遲現象與SiGe HBT相似.
건립료초박기구SiGe화SiGeC HBT적속도과충모형.통과구해능량평형방정,득도전자온도분포,B-C결부근적전자온도원고우정격온도.Ge적분포대SiGe BHT속도분포영향흔대,대우선성분포,Ge제도월대,속도과충월명현;Ge제도일양시,선성분포비제형분포적속도대.제형분포적SiGe HBT기구야발생속도과충.SiGeC HBT속도과충현상여SiGe HBT상사.
