光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2007年
7期
763-766
,共4页
陈新亮%薛俊明%张德坤%孙健%任慧志%赵颖%耿新华
陳新亮%薛俊明%張德坤%孫健%任慧誌%趙穎%耿新華
진신량%설준명%장덕곤%손건%임혜지%조영%경신화
金属有机化学气相沉积(MOCVD)%ZnO薄膜%透明导电氧化物(TCO)%太阳电池
金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)%ZnO薄膜%透明導電氧化物(TCO)%太暘電池
금속유궤화학기상침적(MOCVD)%ZnO박막%투명도전양화물(TCO)%태양전지
研究了反应压力对金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.X射线衍射(XRD)和扫描电子镜(SEM)的研究结果表明,随着反应压力的降低,ZnO薄膜(002)择优峰的强度呈现相对减弱趋势,并且出现了较强的(110)峰;Hall测量表明,低的反应压力有助于提高薄膜电学特性.200 Pa时制备出的ZnO薄膜具有明显的"类金字塔"状绒面结构,电阻率为1.28×10-2 Ω·cm.实验中沉积的ZnO薄膜在600～2 600 nm内平均透过率超过80%,而短波长范围由于光散射作用,ZnO薄膜的垂直透过率有所下降.
研究瞭反應壓力對金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術製備未摻雜ZnO薄膜的微觀結構和光電特性影響.X射線衍射(XRD)和掃描電子鏡(SEM)的研究結果錶明,隨著反應壓力的降低,ZnO薄膜(002)擇優峰的彊度呈現相對減弱趨勢,併且齣現瞭較彊的(110)峰;Hall測量錶明,低的反應壓力有助于提高薄膜電學特性.200 Pa時製備齣的ZnO薄膜具有明顯的"類金字塔"狀絨麵結構,電阻率為1.28×10-2 Ω·cm.實驗中沉積的ZnO薄膜在600～2 600 nm內平均透過率超過80%,而短波長範圍由于光散射作用,ZnO薄膜的垂直透過率有所下降.
연구료반응압력대금속유궤화학기상침적(MOCVD)기술제비미참잡ZnO박막적미관결구화광전특성영향.X사선연사(XRD)화소묘전자경(SEM)적연구결과표명,수착반응압력적강저,ZnO박막(002)택우봉적강도정현상대감약추세,병차출현료교강적(110)봉;Hall측량표명,저적반응압력유조우제고박막전학특성.200 Pa시제비출적ZnO박막구유명현적"류금자탑"상융면결구,전조솔위1.28×10-2 Ω·cm.실험중침적적ZnO박막재600～2 600 nm내평균투과솔초과80%,이단파장범위유우광산사작용,ZnO박막적수직투과솔유소하강.
