功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2008年
5期
853-858
,共6页
孙振翠%曹文田%王书运%薛成山%伊长虹
孫振翠%曹文田%王書運%薛成山%伊長虹
손진취%조문전%왕서운%설성산%이장홍
Ga2O3薄膜%GaN薄膜%射频磁控溅射%扩镓时间
Ga2O3薄膜%GaN薄膜%射頻磁控濺射%擴鎵時間
Ga2O3박막%GaN박막%사빈자공천사%확가시간
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜,研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响.利用红外透射谱(FHR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、光电能谱(XPS)和荧光光谱(PL)对生成的GaN薄膜进行组分、结构、表面形貌和发光特性分析.测试结果表明:采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.同时显示:在相同的氮化温度和时间下,随着硅基扩镓时间的增加,薄膜的晶体质量和发光特性得到明显提高.但当硅基扩镓时间进一步增加时,薄膜的晶体质量和发光特性却有所降低.较适宜的硅基扩镓时间为40min.
採用射頻磁控濺射工藝在擴鎵硅基上濺射Ga2O3薄膜氮化反應組裝GaN薄膜,研究硅基擴鎵時間對GaN薄膜晶體質量的影響.利用紅外透射譜(FHR)、X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、光電能譜(XPS)和熒光光譜(PL)對生成的GaN薄膜進行組分、結構、錶麵形貌和髮光特性分析.測試結果錶明:採用此方法得到六方纖鋅礦結構的GaN晶體膜.同時顯示:在相同的氮化溫度和時間下,隨著硅基擴鎵時間的增加,薄膜的晶體質量和髮光特性得到明顯提高.但噹硅基擴鎵時間進一步增加時,薄膜的晶體質量和髮光特性卻有所降低.較適宜的硅基擴鎵時間為40min.
채용사빈자공천사공예재확가규기상천사Ga2O3박막담화반응조장GaN박막,연구규기확가시간대GaN박막정체질량적영향.이용홍외투사보(FHR)、X사선연사(XRD)、소묘전경(SEM)、광전능보(XPS)화형광광보(PL)대생성적GaN박막진행조분、결구、표면형모화발광특성분석.측시결과표명:채용차방법득도륙방섬자광결구적GaN정체막.동시현시:재상동적담화온도화시간하,수착규기확가시간적증가,박막적정체질량화발광특성득도명현제고.단당규기확가시간진일보증가시,박막적정체질량화발광특성각유소강저.교괄의적규기확가시간위40min.
