InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展
InGaAs근홍외선렬초면진적연제진전
Developments of near IR linear InGaAs FPAs in China
  • 万方数据
    红外与激光工程 홍외여격광공정
    INFRARED AND LASER ENGINEERING
    2009年 1期 14-18 ,共5页

    龚海梅%张可锋%唐恒敬%李雪%张永刚%缪国庆%宋航%方家熊

    공해매%장가봉%당항경%리설%장영강%무국경%송항%방가웅

    短波近红外%InGaAs%焦平面组件%读出电路 短波近紅外%InGaAs%焦平麵組件%讀齣電路
    단파근홍외%InGaAs%초평면조건%독출전로
    研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件.焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装.光敏芯片在Inp/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合.焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装.介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础.
    연제출광보향응위0.9～1.7μm적256×1、512×1원InGaAs선렬초평면조건,화광보향응연전지2.4μm적256×1원InGaAs선렬초평면조건.초평면조건포괄광민심편、독출전로、열전제랭기이급관각봉장.광민심편재Inp/InGaAs/InP(p-i-n)쌍이질결외연재료상채용태면결구실현,병여128×1혹512×1원CTIA결구적독출전로우합.초평면기건치우쌍렬직삽금속관각중,채용평행봉한적방식진행봉장.개소료고균균성장선렬InGaAs초평면조건적관건기술화주요성능결과,위경장선렬초평면조건적연제제공료견실적기출.
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