传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2012年
5期
145-146,152
,共3页
AlGaN/GaN/Si%高电子迁移率晶体管%力电耦合效应%灵敏度
AlGaN/GaN/Si%高電子遷移率晶體管%力電耦閤效應%靈敏度
AlGaN/GaN/Si%고전자천이솔정체관%력전우합효응%령민도
设计了在Si微结构与AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)集成的微机电系统(MEMS).通过微机械加工工艺,完成了力电耦合传感结构的加工.通过实验测试发现HEMT器件具备很强的力电耦合特性,测试结果在-1.5V栅压下,HEMT器件对应力的灵敏度为123.96 MPa/mA,线性度为6.95％.
設計瞭在Si微結構與AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)集成的微機電繫統(MEMS).通過微機械加工工藝,完成瞭力電耦閤傳感結構的加工.通過實驗測試髮現HEMT器件具備很彊的力電耦閤特性,測試結果在-1.5V柵壓下,HEMT器件對應力的靈敏度為123.96 MPa/mA,線性度為6.95％.
설계료재Si미결구여AlGaN/GaN고전자천이솔정체관(HEMT)집성적미궤전계통(MEMS).통과미궤계가공공예,완성료력전우합전감결구적가공.통과실험측시발현HEMT기건구비흔강적력전우합특성,측시결과재-1.5V책압하,HEMT기건대응력적령민도위123.96 MPa/mA,선성도위6.95％.
