半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
4期
280-283
,共4页
崔海林%周守利%马如兵%黄永清%任晓敏
崔海林%週守利%馬如兵%黃永清%任曉敏
최해림%주수리%마여병%황영청%임효민
谐振腔增强型%光电探测器%优化设计
諧振腔增彊型%光電探測器%優化設計
해진강증강형%광전탐측기%우화설계
讨论了谐振腔增强型光探测器的优化设计方法.综合分析了腔长、DBR反射镜的反射率、吸收层厚度、入光面积等关键因素对探测器性能的影响.采用特定的顺序来确定器件的各个参数,同时分析了驻波效应、生长偏差等因素的影响.
討論瞭諧振腔增彊型光探測器的優化設計方法.綜閤分析瞭腔長、DBR反射鏡的反射率、吸收層厚度、入光麵積等關鍵因素對探測器性能的影響.採用特定的順序來確定器件的各箇參數,同時分析瞭駐波效應、生長偏差等因素的影響.
토론료해진강증강형광탐측기적우화설계방법.종합분석료강장、DBR반사경적반사솔、흡수층후도、입광면적등관건인소대탐측기성능적영향.채용특정적순서래학정기건적각개삼수,동시분석료주파효응、생장편차등인소적영향.
