微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层
미량참탄ne-SiC:H박막용우p-i-n태양전지적창구층
Deposition of P-type no-SiC:H thin films with subtle carbon incorporation for applications in p-i-n solar cells
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2007年 5期 2915-2919 ,共5页

    许颖%刁宏伟%张世斌%励旭东%曾湘波%王文静%廖显伯

    허영%조굉위%장세빈%려욱동%증상파%왕문정%료현백

    光学带隙%纳米硅%薄膜%太阳能电池 光學帶隙%納米硅%薄膜%太暘能電池
    광학대극%납미규%박막%태양능전지
    采用等离子增强化学气相沉积方法(PEVVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333 K,353 K和373 K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06 eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94 V.
    채용등리자증강화학기상침적방법(PEVVD)제비료미량참탄적p형납미비정규탄박막(p-nc-SiC:H),반응기체위규완화갑완,참잡기체채용붕완,침적온도분별채용333 K,353 K화373 K.측량결과표명수착침적온도증가화탄함량적증가,박막적광학대극증가;박막구유교관적대극화교고적전도솔,동시유교저적격활능(0.06 eV).Raman화XRD측량결과표명박막존재납미정.우화적p형납미비정규탄박막작위비정규p-i-n태양전지적창구층,사득태양전지적개로전압체도0.94 V.
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