吉林大学学报（理学版）
吉林大學學報（理學版）
길림대학학보（이학판）
JOURNAL OF JILIN UNIVERSITY(SCIENCE EDITION)
2007年
5期
822-826
,共5页
孙剑%白亦真%杨天鹏%孙景昌%杜国同
孫劍%白亦真%楊天鵬%孫景昌%杜國同
손검%백역진%양천붕%손경창%두국동
声表面波滤波器%金刚石%ZnO薄膜%金属有机化合物气相沉积
聲錶麵波濾波器%金剛石%ZnO薄膜%金屬有機化閤物氣相沉積
성표면파려파기%금강석%ZnO박막%금속유궤화합물기상침적
采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm2/(V·s).
採用金屬有機化閤物氣相沉積(MOCVD)兩步生長法在自持化學氣相沉積(CVD)金剛石厚膜的成覈麵上製備ZnO薄膜, 併研究瞭薄膜的生長特性和電學特性. 結果錶明, 在基片溫度為600 ℃時沉積得到的ZnO薄膜錶麵均勻, 取嚮較一緻, 為c軸取嚮生長. 其載流子遷移率為3.79 cm2/(V·s).
채용금속유궤화합물기상침적(MOCVD)량보생장법재자지화학기상침적(CVD)금강석후막적성핵면상제비ZnO박막, 병연구료박막적생장특성화전학특성. 결과표명, 재기편온도위600 ℃시침적득도적ZnO박막표면균균, 취향교일치, 위c축취향생장. 기재류자천이솔위3.79 cm2/(V·s).
