人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
1期
151-155
,共5页
于威%张锦川%许贺菊%张丽%杨丽华%傅广生
于威%張錦川%許賀菊%張麗%楊麗華%傅廣生
우위%장금천%허하국%장려%양려화%부엄생
p-ZnO%螺旋波等离子体%自然掺杂%应力
p-ZnO%螺鏇波等離子體%自然摻雜%應力
p-ZnO%라선파등리자체%자연참잡%응력
本工作通过调整工作气压,采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在Al2O3衬底上成功的制备了自然掺杂的p型ZnO薄膜.Hall测量显示在Ar/O2等离子体辅助下,随气压增加所沉积薄膜表现出从n型到p型再到n型的转变.p型ZnO薄膜载流子浓度为1.30×1016cm-3,电阻率为99.68Ω·cm,霍尔迁移率为4cm2·V-1·s-1.X射线衍射和原子力显微镜的分析结果显示ZnO薄膜的导电类型和薄膜的生长特征相关,等离子体中活性粒子载能的减小导致薄膜表面成核几率增加和ZnO晶粒逐渐减小.较高氧活性粒子浓度有利于自然掺杂p型ZnO薄膜生长,而活性氧粒子种类的变化使薄膜生长质量变差,施主缺陷增加,薄膜转化为n型导电.
本工作通過調整工作氣壓,採用螺鏇波等離子體輔助射頻磁控濺射技術在Al2O3襯底上成功的製備瞭自然摻雜的p型ZnO薄膜.Hall測量顯示在Ar/O2等離子體輔助下,隨氣壓增加所沉積薄膜錶現齣從n型到p型再到n型的轉變.p型ZnO薄膜載流子濃度為1.30×1016cm-3,電阻率為99.68Ω·cm,霍爾遷移率為4cm2·V-1·s-1.X射線衍射和原子力顯微鏡的分析結果顯示ZnO薄膜的導電類型和薄膜的生長特徵相關,等離子體中活性粒子載能的減小導緻薄膜錶麵成覈幾率增加和ZnO晶粒逐漸減小.較高氧活性粒子濃度有利于自然摻雜p型ZnO薄膜生長,而活性氧粒子種類的變化使薄膜生長質量變差,施主缺陷增加,薄膜轉化為n型導電.
본공작통과조정공작기압,채용라선파등리자체보조사빈자공천사기술재Al2O3츤저상성공적제비료자연참잡적p형ZnO박막.Hall측량현시재Ar/O2등리자체보조하,수기압증가소침적박막표현출종n형도p형재도n형적전변.p형ZnO박막재류자농도위1.30×1016cm-3,전조솔위99.68Ω·cm,곽이천이솔위4cm2·V-1·s-1.X사선연사화원자력현미경적분석결과현시ZnO박막적도전류형화박막적생장특정상관,등리자체중활성입자재능적감소도치박막표면성핵궤솔증가화ZnO정립축점감소.교고양활성입자농도유리우자연참잡p형ZnO박막생장,이활성양입자충류적변화사박막생장질량변차,시주결함증가,박막전화위n형도전.
