人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
3期
734-738
,共5页
开口碳纳米管%电子场发射%场增强因子
開口碳納米管%電子場髮射%場增彊因子
개구탄납미관%전자장발사%장증강인자
利用镜像电荷模型计算了处于外加电场中开口碳纳米管顶端的电势和场强,得到电子发射场增强因子为γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1.结果表明:外加电场与纳米管的几何参数会影响其顶端的局域电场,从而影响电子场发射;γ与长厚比h/ρ和径厚比R/ρ有关.特别,当管长h一定时,管壁厚度ρ比管的有效半径R对γ的影响更加显著.
利用鏡像電荷模型計算瞭處于外加電場中開口碳納米管頂耑的電勢和場彊,得到電子髮射場增彊因子為γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1.結果錶明:外加電場與納米管的幾何參數會影響其頂耑的跼域電場,從而影響電子場髮射;γ與長厚比h/ρ和徑厚比R/ρ有關.特彆,噹管長h一定時,管壁厚度ρ比管的有效半徑R對γ的影響更加顯著.
이용경상전하모형계산료처우외가전장중개구탄납미관정단적전세화장강,득도전자발사장증강인자위γ=2(2h/ρ+1)/[ln16(1+16R2/ρ2)]-1.결과표명:외가전장여납미관적궤하삼수회영향기정단적국역전장,종이영향전자장발사;γ여장후비h/ρ화경후비R/ρ유관.특별,당관장h일정시,관벽후도ρ비관적유효반경R대γ적영향경가현저.
