河北师范大学学报（自然科学版）
河北師範大學學報（自然科學版）
하북사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HEBEI NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2010年
4期
423-427,433
,共6页
d 波超导%电导%散粒噪声
d 波超導%電導%散粒譟聲
d 파초도%전도%산립조성
利用Blonder-Tinkhanr-Klapwijk(BTK)理论求解了Bogoliubov-de Genner(BDG)方程,再结合LandauerBüttiker公式,计算正常金属/半导体/d波超导体隧道结系统的隧穿系数,研究了隧穿谱和散粒噪声.在Rashba自旋轨道耦合参数一定的情况下,计算了散粒噪声和隧穿谱随偏压的变化.结果表明,电子入射角度θ和d波超导配对势都可以影响散粒噪声和隧穿谱.研究证明:d波超导体表面有零能束缚态存在;Andreev反射电导可以达到正常隧穿的2倍;散粒噪声被抑制的程度很大;半导体厚度L为3ε0的整数倍与半导体厚度L为非3ε0的整数倍时的散粒噪声和隧穿谱随偏压的变化有明显的区别.
利用Blonder-Tinkhanr-Klapwijk(BTK)理論求解瞭Bogoliubov-de Genner(BDG)方程,再結閤LandauerBüttiker公式,計算正常金屬/半導體/d波超導體隧道結繫統的隧穿繫數,研究瞭隧穿譜和散粒譟聲.在Rashba自鏇軌道耦閤參數一定的情況下,計算瞭散粒譟聲和隧穿譜隨偏壓的變化.結果錶明,電子入射角度θ和d波超導配對勢都可以影響散粒譟聲和隧穿譜.研究證明:d波超導體錶麵有零能束縳態存在;Andreev反射電導可以達到正常隧穿的2倍;散粒譟聲被抑製的程度很大;半導體厚度L為3ε0的整數倍與半導體厚度L為非3ε0的整數倍時的散粒譟聲和隧穿譜隨偏壓的變化有明顯的區彆.
이용Blonder-Tinkhanr-Klapwijk(BTK)이론구해료Bogoliubov-de Genner(BDG)방정,재결합LandauerBüttiker공식,계산정상금속/반도체/d파초도체수도결계통적수천계수,연구료수천보화산립조성.재Rashba자선궤도우합삼수일정적정황하,계산료산립조성화수천보수편압적변화.결과표명,전자입사각도θ화d파초도배대세도가이영향산립조성화수천보.연구증명:d파초도체표면유령능속박태존재;Andreev반사전도가이체도정상수천적2배;산립조성피억제적정도흔대;반도체후도L위3ε0적정수배여반도체후도L위비3ε0적정수배시적산립조성화수천보수편압적변화유명현적구별.
