中国电子科学研究院学报
中國電子科學研究院學報
중국전자과학연구원학보
JOURNAL OF CHINA ACADEMY OF ELECTRONICS AND INFORMATION TECHNOLOGY
2011年
1期
28-30,35
,共4页
朱福运%于民%金玉丰%张海霞
硃福運%于民%金玉豐%張海霞
주복운%우민%금옥봉%장해하
硅通孔技术%深反应离子刻蚀%工艺模拟
硅通孔技術%深反應離子刻蝕%工藝模擬
규통공기술%심반응리자각식%공예모의
随着现代科技的发展,人们对微系统的小型化、高性能、多功能、低功耗和低成本的要求越来越高,基于硅通孔技术技术的三维系统封装技术(3D SiP,three dimensional dystem in packaging)愈发显现出其重要的研究价值.硅通孔技术将集成电路垂直堆叠,在更小的面积上大幅地提升芯片性能并增加芯片功能.为帮助工艺人员更好地开展硅通孔技术工艺实验,开展了硅通孔技术关键工艺深反应离子刻蚀工艺模拟研究工作及开展这一工作所采用的物理模型和模拟方法,并将模拟结果与实验结果进行了对比.
隨著現代科技的髮展,人們對微繫統的小型化、高性能、多功能、低功耗和低成本的要求越來越高,基于硅通孔技術技術的三維繫統封裝技術(3D SiP,three dimensional dystem in packaging)愈髮顯現齣其重要的研究價值.硅通孔技術將集成電路垂直堆疊,在更小的麵積上大幅地提升芯片性能併增加芯片功能.為幫助工藝人員更好地開展硅通孔技術工藝實驗,開展瞭硅通孔技術關鍵工藝深反應離子刻蝕工藝模擬研究工作及開展這一工作所採用的物理模型和模擬方法,併將模擬結果與實驗結果進行瞭對比.
수착현대과기적발전,인문대미계통적소형화、고성능、다공능、저공모화저성본적요구월래월고,기우규통공기술기술적삼유계통봉장기술(3D SiP,three dimensional dystem in packaging)유발현현출기중요적연구개치.규통공기술장집성전로수직퇴첩,재경소적면적상대폭지제승심편성능병증가심편공능.위방조공예인원경호지개전규통공기술공예실험,개전료규통공기술관건공예심반응리자각식공예모의연구공작급개전저일공작소채용적물리모형화모의방법,병장모의결과여실험결과진행료대비.
