人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2012年
1期
141-145
,共5页
陈伟业%刘彭义%林彩平%常鹏
陳偉業%劉彭義%林綵平%常鵬
진위업%류팽의%림채평%상붕
压电陶瓷%PMNNS%低温烧结%SiO2
壓電陶瓷%PMNNS%低溫燒結%SiO2
압전도자%PMNNS%저온소결%SiO2
在烧结温度为1020℃下,采用同相二步合成法制备了Pb( Ni1/3 Nb2/3 )0.05( Mn1/3 Nb2/3 )0.04( Mn1/3 Sb2/3)0.01(Zr1/2Ti1/2)0.9O3(PMNNS)压电陶瓷,研究了加入不同掺杂量的SiO2对陶瓷的结构与机电性能的影响.结果表明:加入SiO2可以明显地降低烧结温度；而且当SiO2的掺杂最为0.1％时,陶瓷的性能最佳,其性能如下:d33 =331 pC/N,tanδ =0.0041,kp=0.62,Qm=1326,εr =917.
在燒結溫度為1020℃下,採用同相二步閤成法製備瞭Pb( Ni1/3 Nb2/3 )0.05( Mn1/3 Nb2/3 )0.04( Mn1/3 Sb2/3)0.01(Zr1/2Ti1/2)0.9O3(PMNNS)壓電陶瓷,研究瞭加入不同摻雜量的SiO2對陶瓷的結構與機電性能的影響.結果錶明:加入SiO2可以明顯地降低燒結溫度；而且噹SiO2的摻雜最為0.1％時,陶瓷的性能最佳,其性能如下:d33 =331 pC/N,tanδ =0.0041,kp=0.62,Qm=1326,εr =917.
재소결온도위1020℃하,채용동상이보합성법제비료Pb( Ni1/3 Nb2/3 )0.05( Mn1/3 Nb2/3 )0.04( Mn1/3 Sb2/3)0.01(Zr1/2Ti1/2)0.9O3(PMNNS)압전도자,연구료가입불동참잡량적SiO2대도자적결구여궤전성능적영향.결과표명:가입SiO2가이명현지강저소결온도；이차당SiO2적참잡최위0.1％시,도자적성능최가,기성능여하:d33 =331 pC/N,tanδ =0.0041,kp=0.62,Qm=1326,εr =917.
