发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
8期
869-872
,共4页
于莉媛%牛萍娟%邢海英%侯莎
于莉媛%牛萍娟%邢海英%侯莎
우리원%우평연%형해영%후사
电子束辐照%LED%发光性能%氮化镓
電子束輻照%LED%髮光性能%氮化鎵
전자속복조%LED%발광성능%담화가
研究了不同能量的电子束辐照对GaN基发光二极管(Light emitting diode,LED)发光性能的影响.利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对GaN基LED外延片进行1.5,3.0,4.5 MeV电子束辐照实验,并应用光致发光(Photoluminescence,PL)谱测试发光性能.结果表明:在1.5 MeV电子束辐照下,采用10 kGy剂量辐照时,LED的发光强度增加约25％；而在100 kGy剂量辐照时,LED的发光强度降低约16％.3 MeV的电子束辐照可使原来色纯度不高的LED的色纯度变好,而更高能量的辐照将会引起器件失效.
研究瞭不同能量的電子束輻照對GaN基髮光二極管(Light emitting diode,LED)髮光性能的影響.利用實驗室提供的電子束模擬空間電子輻射,對GaN基LED外延片進行1.5,3.0,4.5 MeV電子束輻照實驗,併應用光緻髮光(Photoluminescence,PL)譜測試髮光性能.結果錶明:在1.5 MeV電子束輻照下,採用10 kGy劑量輻照時,LED的髮光彊度增加約25％；而在100 kGy劑量輻照時,LED的髮光彊度降低約16％.3 MeV的電子束輻照可使原來色純度不高的LED的色純度變好,而更高能量的輻照將會引起器件失效.
연구료불동능량적전자속복조대GaN기발광이겁관(Light emitting diode,LED)발광성능적영향.이용실험실제공적전자속모의공간전자복사,대GaN기LED외연편진행1.5,3.0,4.5 MeV전자속복조실험,병응용광치발광(Photoluminescence,PL)보측시발광성능.결과표명:재1.5 MeV전자속복조하,채용10 kGy제량복조시,LED적발광강도증가약25％；이재100 kGy제량복조시,LED적발광강도강저약16％.3 MeV적전자속복조가사원래색순도불고적LED적색순도변호,이경고능량적복조장회인기기건실효.
