功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2000年
4期
312-315
,共4页
赖占平%齐德格%高瑞良%杜庚娜%刘晏凤%周春锋%高峰
賴佔平%齊德格%高瑞良%杜庚娜%劉晏鳳%週春鋒%高峰
뢰점평%제덕격%고서량%두경나%류안봉%주춘봉%고봉
GaAs%单晶%掺杂%LEC
GaAs%單晶%摻雜%LEC
GaAs%단정%참잡%LEC
采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶,掺杂浓度大于1×1018/cm3,晶体位错密度小于1×104/cm2.实验发现,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶.而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上.
採用高壓LEC工藝生長3inch摻Si GaAs單晶,摻雜濃度大于1×1018/cm3,晶體位錯密度小于1×104/cm2.實驗髮現,採用PBN坩堝和使用水含量較高的氧化硼做覆蓋劑,固液交界麵處均會產生浮渣,造成無法引晶.而實際摻雜量應為理論計算值的4倍以上.
채용고압LEC공예생장3inch참Si GaAs단정,참잡농도대우1×1018/cm3,정체위착밀도소우1×104/cm2.실험발현,채용PBN감과화사용수함량교고적양화붕주복개제,고액교계면처균회산생부사,조성무법인정.이실제참잡량응위이론계산치적4배이상.
