低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
2006年
2期
107-111
,共5页
丁莉莉%陈莉萍%李芬%冯庆荣%熊光成
丁莉莉%陳莉萍%李芬%馮慶榮%熊光成
정리리%진리평%리분%풍경영%웅광성
MgB2薄膜%X射线衍射图%SEM图%R～T曲线%M～H曲线
MgB2薄膜%X射線衍射圖%SEM圖%R～T麯線%M～H麯線
MgB2박막%X사선연사도%SEM도%R～T곡선%M～H곡선
我们用混合物理化学气相沉积(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)法在α-Al 2O 3(00l)衬底上原位制备了一批超导性能良好的外延MgB 2超导薄膜样品.用10%浓度的乙硼烷(B 2H 6)氢气混合气作为原料,研究了不同条件对MgB 2薄膜沉积速率的影响.在一定条件下制备了一批MgB 2薄膜,厚度为200nm左右,样品的零电阻转变温度( T c 0)最高达到39K.X射线衍射分析的θ～2 θ扫描表明, MgB 2薄膜的晶粒都具有较好的 C 轴取向,对样品的(101)面Φ扫描结果显示MgB 2薄膜晶格与衬底有很好的外延取向,取向关系为[1010] MgB 2∥[1120] Al 2O 3.由毕恩模型计算求得在5K和零场条件下,样品的临界电流密度 J c =9.8×10 6A/cm 2.这些结果表明HPCVD技术在MgB 2外延薄膜原位制备方面有着很大的优势,从而有利于实现MgB 2薄膜在电子器件方面的应用.
我們用混閤物理化學氣相沉積(Hybrid physical-chemical vapor deposition簡稱為HPCVD)法在α-Al 2O 3(00l)襯底上原位製備瞭一批超導性能良好的外延MgB 2超導薄膜樣品.用10%濃度的乙硼烷(B 2H 6)氫氣混閤氣作為原料,研究瞭不同條件對MgB 2薄膜沉積速率的影響.在一定條件下製備瞭一批MgB 2薄膜,厚度為200nm左右,樣品的零電阻轉變溫度( T c 0)最高達到39K.X射線衍射分析的θ～2 θ掃描錶明, MgB 2薄膜的晶粒都具有較好的 C 軸取嚮,對樣品的(101)麵Φ掃描結果顯示MgB 2薄膜晶格與襯底有很好的外延取嚮,取嚮關繫為[1010] MgB 2∥[1120] Al 2O 3.由畢恩模型計算求得在5K和零場條件下,樣品的臨界電流密度 J c =9.8×10 6A/cm 2.這些結果錶明HPCVD技術在MgB 2外延薄膜原位製備方麵有著很大的優勢,從而有利于實現MgB 2薄膜在電子器件方麵的應用.
아문용혼합물이화학기상침적(Hybrid physical-chemical vapor deposition간칭위HPCVD)법재α-Al 2O 3(00l)츤저상원위제비료일비초도성능량호적외연MgB 2초도박막양품.용10%농도적을붕완(B 2H 6)경기혼합기작위원료,연구료불동조건대MgB 2박막침적속솔적영향.재일정조건하제비료일비MgB 2박막,후도위200nm좌우,양품적령전조전변온도( T c 0)최고체도39K.X사선연사분석적θ～2 θ소묘표명, MgB 2박막적정립도구유교호적 C 축취향,대양품적(101)면Φ소묘결과현시MgB 2박막정격여츤저유흔호적외연취향,취향관계위[1010] MgB 2∥[1120] Al 2O 3.유필은모형계산구득재5K화령장조건하,양품적림계전류밀도 J c =9.8×10 6A/cm 2.저사결과표명HPCVD기술재MgB 2외연박막원위제비방면유착흔대적우세,종이유리우실현MgB 2박막재전자기건방면적응용.
