光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2007年
4期
595-598
,共4页
陈贵宾%全知觉%王少伟%陆卫
陳貴賓%全知覺%王少偉%陸衛
진귀빈%전지각%왕소위%륙위
离子注入%p-n结%激光束诱导电流谱(LBIC)%扩散长度
離子註入%p-n結%激光束誘導電流譜(LBIC)%擴散長度
리자주입%p-n결%격광속유도전류보(LBIC)%확산장도
报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域;对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提取,表明n区载流子扩散长度随硼离子注入剂量增加而减小.
報道瞭非直接接觸、高分辨率的激光束誘導電流譜錶徵技術在檢測半導體材料、器件工藝中的應用.研究結果錶明:p型HgCdTe薄膜經硼離子註入後形成的n型區麵積大于實際的離子註入區域;對不同註入劑量繫列單元不同區域載流子擴散長度進行瞭提取,錶明n區載流子擴散長度隨硼離子註入劑量增加而減小.
보도료비직접접촉、고분변솔적격광속유도전류보표정기술재검측반도체재료、기건공예중적응용.연구결과표명:p형HgCdTe박막경붕리자주입후형성적n형구면적대우실제적리자주입구역;대불동주입제량계렬단원불동구역재류자확산장도진행료제취,표명n구재류자확산장도수붕리자주입제량증가이감소.
