半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
9期
780-783
,共4页
双极晶体管%特征频率%双层多晶硅%增益
雙極晶體管%特徵頻率%雙層多晶硅%增益
쌍겁정체관%특정빈솔%쌍층다정규%증익
对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试.介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构.对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿特性模拟、β/Ic曲线等关键参数进行了模拟.模拟器件最高特征频率为10 GHz,流片测试最高特征频率为9.5 GHz.
對雙極晶體管結構和關鍵性能參數進行瞭研究和設計,併進行瞭流片測試.介紹瞭器件工藝步驟及其採用的工藝結構.對器件的特徵頻率、Gummel麯線、髮射極電子和空穴濃度、CE擊穿特性模擬、β/Ic麯線等關鍵參數進行瞭模擬.模擬器件最高特徵頻率為10 GHz,流片測試最高特徵頻率為9.5 GHz.
대쌍겁정체관결구화관건성능삼수진행료연구화설계,병진행료류편측시.개소료기건공예보취급기채용적공예결구.대기건적특정빈솔、Gummel곡선、발사겁전자화공혈농도、CE격천특성모의、β/Ic곡선등관건삼수진행료모의.모의기건최고특정빈솔위10 GHz,류편측시최고특정빈솔위9.5 GHz.
