量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2009年
4期
482-488
,共7页
光电子学%光吸收谱%密度矩阵理论%半导体超晶格%太赫兹电磁波
光電子學%光吸收譜%密度矩陣理論%半導體超晶格%太赫玆電磁波
광전자학%광흡수보%밀도구진이론%반도체초정격%태혁자전자파
基于激子基,采用密度矩阵理论研究了太赫兹场作用下半导体超品格的子带间动力学过程及光吸收谱.在太赫兹场的驱动下,激子作布洛赫振荡.子带间极化的缓慢变化依赖于太赫兹频率,随着太赫兹频率的增加,子带间极化向下振荡,极化强度降低.以In0.52Al0.48As/InAs和Ga0.7Al0.3As/GaAs两种超晶格为例进行研究,它们的光吸收谱出现了卫星峰结构,这是由于太赫兹场与万尼尔斯塔克阶梯激子作用的非线性效应产生的.但是就In0.52Al0.48As/InAs与Ga0.7Al0.3As/GaAs超晶格相比而言,研究发现, n<0的激子态与n=0的激子态耦合作用较强,使得光吸收谱吻合性较好, n=0时的激子态吸收光谱出现红移, n>0的激子态光吸收谱中出现的边带效应不是很明显.
基于激子基,採用密度矩陣理論研究瞭太赫玆場作用下半導體超品格的子帶間動力學過程及光吸收譜.在太赫玆場的驅動下,激子作佈洛赫振盪.子帶間極化的緩慢變化依賴于太赫玆頻率,隨著太赫玆頻率的增加,子帶間極化嚮下振盪,極化彊度降低.以In0.52Al0.48As/InAs和Ga0.7Al0.3As/GaAs兩種超晶格為例進行研究,它們的光吸收譜齣現瞭衛星峰結構,這是由于太赫玆場與萬尼爾斯塔剋階梯激子作用的非線性效應產生的.但是就In0.52Al0.48As/InAs與Ga0.7Al0.3As/GaAs超晶格相比而言,研究髮現, n<0的激子態與n=0的激子態耦閤作用較彊,使得光吸收譜吻閤性較好, n=0時的激子態吸收光譜齣現紅移, n>0的激子態光吸收譜中齣現的邊帶效應不是很明顯.
기우격자기,채용밀도구진이론연구료태혁자장작용하반도체초품격적자대간동역학과정급광흡수보.재태혁자장적구동하,격자작포락혁진탕.자대간겁화적완만변화의뢰우태혁자빈솔,수착태혁자빈솔적증가,자대간겁화향하진탕,겁화강도강저.이In0.52Al0.48As/InAs화Ga0.7Al0.3As/GaAs량충초정격위례진행연구,타문적광흡수보출현료위성봉결구,저시유우태혁자장여만니이사탑극계제격자작용적비선성효응산생적.단시취In0.52Al0.48As/InAs여Ga0.7Al0.3As/GaAs초정격상비이언,연구발현, n<0적격자태여n=0적격자태우합작용교강,사득광흡수보문합성교호, n=0시적격자태흡수광보출현홍이, n>0적격자태광흡수보중출현적변대효응불시흔명현.
