Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长
Si(111)츤저상HVPE GaN후막생장
GaN thick films growth on Si(111)by hydride vapour phase epitaxy
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2011年 3期 509-511,515 ,共4页

    颜怀跃%修向前%华雪梅%刘战辉%周安%张荣%谢自力%韩平%施毅%郑有炓

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    氢化物气相外延%HVPE%Si%GaN 氫化物氣相外延%HVPE%Si%GaN
    경화물기상외연%HVPE%Si%GaN
    在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AIN为缓冲层,使用氮化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15Km的c面GaN厚膜.并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质.分析结果表明,GaN厚膜具有六方纤锌矿结构,外延层中存在的张应力较小,为0.17GPa,在363.7nm处具有很强的GaN带边发光峰,没有黄带出现.AIN缓冲层有效地阻止了Si衬底和反应气体发生非生长的附加反应,并减小了GaN厚膜自身残余应力,有利于Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜的生长.
    재Si(111)츤저상,이MOCVD방법고온외연생장적AIN위완충층,사용담화물기상외연(HVPE)방법외연생장료15Km적c면GaN후막.병이용X사선연사(XRD)、광치발광보(PL)、랍만광보(Raman)등기술연구료GaN후막적결구화광학성질.분석결과표명,GaN후막구유륙방섬자광결구,외연층중존재적장응력교소,위0.17GPa,재363.7nm처구유흔강적GaN대변발광봉,몰유황대출현.AIN완충층유효지조지료Si츤저화반응기체발생비생장적부가반응,병감소료GaN후막자신잔여응력,유리우Si(111)츤저상HVPE GaN후막적생장.
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