电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
9期
13-16
,共4页
金刚石膜%生长速率%微波等离子体化学气相沉积%声表面波器件
金剛石膜%生長速率%微波等離子體化學氣相沉積%聲錶麵波器件
금강석막%생장속솔%미파등리자체화학기상침적%성표면파기건
针对声表面波( SAW)器件对金刚石膜的要求,采用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置,研究了不同气体体系对金刚石膜生长速率、电阻率、表面形貌、表层C化合态及相对含量(粒子数分数Xc)的影响.结果表明:在H2-CH3COCH3、CH4-H2-Ar和CH4-H2-N2三种气体体系下,金刚石膜的生长速率分别达0.63,0.59和0.58μm/h,较常规CH4-H2体系提高了1倍左右,且金刚石膜电阻率高(1010 Ω·cm)、晶型好、晶粒尺寸小、表层金刚石C-C键相对含量高(Xc＞80％).氧、氩和氮对提高金刚石膜的生长速率和质量效果显著.
針對聲錶麵波( SAW)器件對金剛石膜的要求,採用石英鐘罩式微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)裝置,研究瞭不同氣體體繫對金剛石膜生長速率、電阻率、錶麵形貌、錶層C化閤態及相對含量(粒子數分數Xc)的影響.結果錶明:在H2-CH3COCH3、CH4-H2-Ar和CH4-H2-N2三種氣體體繫下,金剛石膜的生長速率分彆達0.63,0.59和0.58μm/h,較常規CH4-H2體繫提高瞭1倍左右,且金剛石膜電阻率高(1010 Ω·cm)、晶型好、晶粒呎吋小、錶層金剛石C-C鍵相對含量高(Xc＞80％).氧、氬和氮對提高金剛石膜的生長速率和質量效果顯著.
침대성표면파( SAW)기건대금강석막적요구,채용석영종조식미파등리자체화학기상침적(MPCVD)장치,연구료불동기체체계대금강석막생장속솔、전조솔、표면형모、표층C화합태급상대함량(입자수분수Xc)적영향.결과표명:재H2-CH3COCH3、CH4-H2-Ar화CH4-H2-N2삼충기체체계하,금강석막적생장속솔분별체0.63,0.59화0.58μm/h,교상규CH4-H2체계제고료1배좌우,차금강석막전조솔고(1010 Ω·cm)、정형호、정립척촌소、표층금강석C-C건상대함량고(Xc＞80％).양、아화담대제고금강석막적생장속솔화질량효과현저.
