半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
11期
840-843,856
,共5页
沟槽%垂直双扩散晶体管%源极%单脉冲雪崩击穿能量%硅孔
溝槽%垂直雙擴散晶體管%源極%單脈遲雪崩擊穿能量%硅孔
구조%수직쌍확산정체관%원겁%단맥충설붕격천능량%규공
沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与p型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在p型体区中做出阻挡源区注入的胶块,然后再进行源区注入.提出几种其他的制作方式,可以省去源区光刻,但同样可以达到原来的目的.诸如,通过刻蚀Si孔将源区与p型体区短接；或者利用刻蚀出的沟槽侧壁做屏蔽进行源区注入；利用凸出沟槽的多晶硅做屏蔽进行源区注入.这些办法都可简化工艺流程,缩短制造周期,节约制造成本,增强器件可靠性,提高产品的竞争力.
溝槽VDMOS產品為滿足電性能力要求,源極區域必鬚與p型體區短接,為瞭達到此目的,傳統的做法是,源極需要進行一次光刻,在p型體區中做齣阻擋源區註入的膠塊,然後再進行源區註入.提齣幾種其他的製作方式,可以省去源區光刻,但同樣可以達到原來的目的.諸如,通過刻蝕Si孔將源區與p型體區短接；或者利用刻蝕齣的溝槽側壁做屏蔽進行源區註入；利用凸齣溝槽的多晶硅做屏蔽進行源區註入.這些辦法都可簡化工藝流程,縮短製造週期,節約製造成本,增彊器件可靠性,提高產品的競爭力.
구조VDMOS산품위만족전성능력요구,원겁구역필수여p형체구단접,위료체도차목적,전통적주법시,원겁수요진행일차광각,재p형체구중주출조당원구주입적효괴,연후재진행원구주입.제출궤충기타적제작방식,가이성거원구광각,단동양가이체도원래적목적.제여,통과각식Si공장원구여p형체구단접；혹자이용각식출적구조측벽주병폐진행원구주입；이용철출구조적다정규주병폐진행원구주입.저사판법도가간화공예류정,축단제조주기,절약제조성본,증강기건가고성,제고산품적경쟁력.
