电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2012年
4期
4-6,17
,共4页
微波介质陶瓷%介电性能%BaZn2Ti4O11%CuO掺杂
微波介質陶瓷%介電性能%BaZn2Ti4O11%CuO摻雜
미파개질도자%개전성능%BaZn2Ti4O11%CuO참잡
采用固相反应法制备了CuO掺杂的BaZn2Ti4O11陶瓷,研究了所制陶瓷的物相、微观结构和微波介电性能.结果表明,CuO既可以在晶界处形成低共熔体,导致液相烧结,降低烧结温度40℃,又可使部分Cu2+进入晶格取代了部分Zn2+,增加Q·f值.掺杂质量分数0.5％的CuO在1 160℃烧结2h所制得BaZn2Ti4O11陶瓷的微波介电性能较佳:相对介电常数εr=29.4,Q·f=50 500 GHz,频率温度系数τf=-35.6×10-6/℃.
採用固相反應法製備瞭CuO摻雜的BaZn2Ti4O11陶瓷,研究瞭所製陶瓷的物相、微觀結構和微波介電性能.結果錶明,CuO既可以在晶界處形成低共鎔體,導緻液相燒結,降低燒結溫度40℃,又可使部分Cu2+進入晶格取代瞭部分Zn2+,增加Q·f值.摻雜質量分數0.5％的CuO在1 160℃燒結2h所製得BaZn2Ti4O11陶瓷的微波介電性能較佳:相對介電常數εr=29.4,Q·f=50 500 GHz,頻率溫度繫數τf=-35.6×10-6/℃.
채용고상반응법제비료CuO참잡적BaZn2Ti4O11도자,연구료소제도자적물상、미관결구화미파개전성능.결과표명,CuO기가이재정계처형성저공용체,도치액상소결,강저소결온도40℃,우가사부분Cu2+진입정격취대료부분Zn2+,증가Q·f치.참잡질량분수0.5％적CuO재1 160℃소결2h소제득BaZn2Ti4O11도자적미파개전성능교가:상대개전상수εr=29.4,Q·f=50 500 GHz,빈솔온도계수τf=-35.6×10-6/℃.
