陈俊%朱世富%赵北君%高德友%魏昭荣%李含冬%韦永林%唐世红 陳俊%硃世富%趙北君%高德友%魏昭榮%李含鼕%韋永林%唐世紅
진준%주세부%조북군%고덕우%위소영%리함동%위영림%당세홍
2012년 HICN液对结核分枝杆菌杀菌效果观察 HICN液對結覈分枝桿菌殺菌效果觀察 HICN액대결핵분지간균살균효과관찰
2009년 Ge薄膜特性及其在光子计数成像系统中的应用 Ge薄膜特性及其在光子計數成像繫統中的應用 Ge박막특성급기재광자계수성상계통중적응용
2009년 装架准确度对条纹管性能参量影响的研究 裝架準確度對條紋管性能參量影響的研究 장가준학도대조문관성능삼량영향적연구
2008년 一种响应波长在120 nm~200 nm的紫外像增强器 一種響應波長在120 nm~200 nm的紫外像增彊器 일충향응파장재120 nm~200 nm적자외상증강기
2008년 用于线路板检测的高分辨率X射线像增强器的研制 用于線路闆檢測的高分辨率X射線像增彊器的研製 용우선로판검측적고분변솔X사선상증강기적연제
2013년 ZnGeP2多晶合成工艺改进及其X射线衍射分析 ZnGeP2多晶閤成工藝改進及其X射線衍射分析 ZnGeP2다정합성공예개진급기X사선연사분석
2012년 ZnGeP2晶体轴向成分均匀性对其红外光学性质的影响 ZnGeP2晶體軸嚮成分均勻性對其紅外光學性質的影響 ZnGeP2정체축향성분균균성대기홍외광학성질적영향
2012년 CdGeAs2晶体退火与红外光学均匀性分析 CdGeAs2晶體退火與紅外光學均勻性分析 CdGeAs2정체퇴화여홍외광학균균성분석
2012년 CdSiP2多晶杂相分析与合成工艺改进 CdSiP2多晶雜相分析與閤成工藝改進 CdSiP2다정잡상분석여합성공예개진
2011년 AgGa1-xInxSe2晶体热处理研究 AgGa1-xInxSe2晶體熱處理研究 AgGa1-xInxSe2정체열처리연구
2011년 电子束蒸发法制备MoO3薄膜及其性质研究 電子束蒸髮法製備MoO3薄膜及其性質研究 전자속증발법제비MoO3박막급기성질연구
2010년 电子束蒸发制备PbI2膜及其光学性能研究 電子束蒸髮製備PbI2膜及其光學性能研究 전자속증발제비PbI2막급기광학성능연구
2010년 电子束蒸发制备PbI2薄膜的光电性质研究 電子束蒸髮製備PbI2薄膜的光電性質研究 전자속증발제비PbI2박막적광전성질연구
2009년 Pb-I系统的相变分析与PbI2晶体生长 Pb-I繫統的相變分析與PbI2晶體生長 Pb-I계통적상변분석여PbI2정체생장
2009년 电子束蒸发制备CdS多晶薄膜及性质研究 電子束蒸髮製備CdS多晶薄膜及性質研究 전자속증발제비CdS다정박막급성질연구
2013년 ZnGeP2多晶合成工艺改进及其X射线衍射分析 ZnGeP2多晶閤成工藝改進及其X射線衍射分析 ZnGeP2다정합성공예개진급기X사선연사분석
2012년 ZnGeP2晶体轴向成分均匀性对其红外光学性质的影响 ZnGeP2晶體軸嚮成分均勻性對其紅外光學性質的影響 ZnGeP2정체축향성분균균성대기홍외광학성질적영향
2012년 CdGeAs2晶体退火与红外光学均匀性分析 CdGeAs2晶體退火與紅外光學均勻性分析 CdGeAs2정체퇴화여홍외광학균균성분석
2012년 CdSiP2多晶杂相分析与合成工艺改进 CdSiP2多晶雜相分析與閤成工藝改進 CdSiP2다정잡상분석여합성공예개진
2012년 Ho∶ BaY2F8晶体生长及其光谱研究 Ho∶ BaY2F8晶體生長及其光譜研究 Ho∶ BaY2F8정체생장급기광보연구
2011년 ZnGeP2多晶合成爆炸原因分析与工艺改进 ZnGeP2多晶閤成爆炸原因分析與工藝改進 ZnGeP2다정합성폭작원인분석여공예개진
2013년 非法获取口供与讯问谋略若干问题探讨——以贿赂案件为例 非法穫取口供與訊問謀略若榦問題探討——以賄賂案件為例 비법획취구공여신문모략약간문제탐토——이회뢰안건위례
2013년 非法获取口供与讯问谋略若干问题探讨——以贿赂案件为例 非法穫取口供與訊問謀略若榦問題探討——以賄賂案件為例 비법획취구공여신문모략약간문제탐토——이회뢰안건위례
2011년 我国高新技术企业政府监管中的问题与对策研究 我國高新技術企業政府鑑管中的問題與對策研究 아국고신기술기업정부감관중적문제여대책연구
2007년 《联合国反腐败公约》与我国刑法中贿赂罪之比较研究 《聯閤國反腐敗公約》與我國刑法中賄賂罪之比較研究 《연합국반부패공약》여아국형법중회뢰죄지비교연구
2007년 气相输运合成PbI2多晶的热力学研究 氣相輸運閤成PbI2多晶的熱力學研究 기상수운합성PbI2다정적열역학연구