无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2005年
2期
419-424
,共6页
脉冲激光沉积%AlN薄膜%缓冲层
脈遲激光沉積%AlN薄膜%緩遲層
맥충격광침적%AlN박막%완충층
采用脉冲激光沉积法(PLD),以KrF准分子为脉冲激光源,Si(100)为衬底,同时引入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N,制备了结晶质量优异的AlN薄膜,X射线衍射(XRD)及反射式高能电子衍射(RHEED)分析表明AlN薄膜呈(001)取向、二维层状生长.研究发现,薄膜的生长模式依赖于缓冲层种类,直接在Si衬底上或MgO/Si衬底上的AlN薄膜呈三维岛状生长;而同时引入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N时,AlN薄膜呈二维层状生长.此外,激光能量密度大小对AlN薄膜的结晶性有显著的影响,激光能量密度过大,薄膜表面粗糙,有颗粒状沉积物生成.在氮气气氛中沉积,能使薄膜的取向由(001)改变为(100).
採用脈遲激光沉積法(PLD),以KrF準分子為脈遲激光源,Si(100)為襯底,同時引入緩遲層TiN和Ti0.8Al0.2N,製備瞭結晶質量優異的AlN薄膜,X射線衍射(XRD)及反射式高能電子衍射(RHEED)分析錶明AlN薄膜呈(001)取嚮、二維層狀生長.研究髮現,薄膜的生長模式依賴于緩遲層種類,直接在Si襯底上或MgO/Si襯底上的AlN薄膜呈三維島狀生長;而同時引入緩遲層TiN和Ti0.8Al0.2N時,AlN薄膜呈二維層狀生長.此外,激光能量密度大小對AlN薄膜的結晶性有顯著的影響,激光能量密度過大,薄膜錶麵粗糙,有顆粒狀沉積物生成.在氮氣氣氛中沉積,能使薄膜的取嚮由(001)改變為(100).
채용맥충격광침적법(PLD),이KrF준분자위맥충격광원,Si(100)위츤저,동시인입완충층TiN화Ti0.8Al0.2N,제비료결정질량우이적AlN박막,X사선연사(XRD)급반사식고능전자연사(RHEED)분석표명AlN박막정(001)취향、이유층상생장.연구발현,박막적생장모식의뢰우완충층충류,직접재Si츤저상혹MgO/Si츤저상적AlN박막정삼유도상생장;이동시인입완충층TiN화Ti0.8Al0.2N시,AlN박막정이유층상생장.차외,격광능량밀도대소대AlN박막적결정성유현저적영향,격광능량밀도과대,박막표면조조,유과립상침적물생성.재담기기분중침적,능사박막적취향유(001)개변위(100).
