半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
z1期
96-100
,共5页
陆胜天%李萍%刘诗嘉%朱龙源%龚海梅
陸勝天%李萍%劉詩嘉%硃龍源%龔海梅
륙성천%리평%류시가%주룡원%공해매
碲镉汞%阳极氧化%红外探测器%脉冲电流钝化%恒压退火
碲鎘汞%暘極氧化%紅外探測器%脈遲電流鈍化%恆壓退火
제력홍%양겁양화%홍외탐측기%맥충전류둔화%항압퇴화
采用小电流腐蚀、脉冲电流钝化、恒压退火的分步式阳极氧化钝化新方法对碲镉汞红外探测器进行表面钝化,利用扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)对传统恒流方法和新方法生成的两种阳极氧化膜进行测试比较.结果表明,新方法生长的阳极氧化膜的质量得到了明显改善.并对新方法工艺条件进行了研究,获得了能提高成膜质量的工艺参数条件.
採用小電流腐蝕、脈遲電流鈍化、恆壓退火的分步式暘極氧化鈍化新方法對碲鎘汞紅外探測器進行錶麵鈍化,利用掃描電鏡(SEM)、俄歇電子能譜(AES)對傳統恆流方法和新方法生成的兩種暘極氧化膜進行測試比較.結果錶明,新方法生長的暘極氧化膜的質量得到瞭明顯改善.併對新方法工藝條件進行瞭研究,穫得瞭能提高成膜質量的工藝參數條件.
채용소전류부식、맥충전류둔화、항압퇴화적분보식양겁양화둔화신방법대제력홍홍외탐측기진행표면둔화,이용소묘전경(SEM)、아헐전자능보(AES)대전통항류방법화신방법생성적량충양겁양화막진행측시비교.결과표명,신방법생장적양겁양화막적질량득도료명현개선.병대신방법공예조건진행료연구,획득료능제고성막질량적공예삼수조건.
