电子学报
電子學報
전자학보
ACTA ELECTRONICA SINICA
2008年
5期
933-936
,共4页
吕红亮%张义门%张玉明%车勇%王悦湖%邵科
呂紅亮%張義門%張玉明%車勇%王悅湖%邵科
려홍량%장의문%장옥명%차용%왕열호%소과
碳化硅%MESFET%深能级陷阱%频率特性
碳化硅%MESFET%深能級陷阱%頻率特性
탄화규%MESFET%심능급함정%빈솔특성
针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数R"ds、g"m、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移.偏移频率在室温下不足1Hz,但在600K的温度下则可达到MHz的量级.结合自热效应模型,论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响.模拟结果表明,随着温度的上升,偏移频段上升.本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上的依据.
針對4H-SiC射頻MESFET中的陷阱效應,建立瞭基于解析模型的器件小信號參數模型,引入能夠反映陷阱影響的參數R"ds、g"m、Css等,從而能夠由此分析器件特性隨頻率偏移的情況.對溝道緩遲層界麵深能級陷阱的分析錶明,4H-SiC MESFET的跨導既有正嚮偏移,也有負嚮偏移.偏移頻率在室溫下不足1Hz,但在600K的溫度下則可達到MHz的量級.結閤自熱效應模型,論文還分析瞭柵、漏極偏置和溫度對器件頻率偏移特性的影響.模擬結果錶明,隨著溫度的上升,偏移頻段上升.本文的模擬分析對器件的設計提供瞭理論上的依據.
침대4H-SiC사빈MESFET중적함정효응,건립료기우해석모형적기건소신호삼수모형,인입능구반영함정영향적삼수R"ds、g"m、Css등,종이능구유차분석기건특성수빈솔편이적정황.대구도완충층계면심능급함정적분석표명,4H-SiC MESFET적과도기유정향편이,야유부향편이.편이빈솔재실온하불족1Hz,단재600K적온도하칙가체도MHz적량급.결합자열효응모형,논문환분석료책、루겁편치화온도대기건빈솔편이특성적영향.모의결과표명,수착온도적상승,편이빈단상승.본문적모의분석대기건적설계제공료이론상적의거.
