微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
4期
221-225,230
,共6页
卜夏正%武一宾%商耀辉%牛晨亮%赵辉%崔琦
蔔夏正%武一賓%商耀輝%牛晨亮%趙輝%崔琦
복하정%무일빈%상요휘%우신량%조휘%최기
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管%砷化镓铟沟道%失配应力%热应力%电性能
砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管%砷化鎵銦溝道%失配應力%熱應力%電性能
신화가안배고전자천이솔정체관%신화가인구도%실배응력%열응력%전성능
设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征.探讨了外延片应力与沟道结构的相关性,研究了沟道失配应力对电性能的影响机理.建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法,进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试,并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果.结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能保持原有电性能,沟道应力对材料电性能的影响主要表现为失配应力.
設計併用分子束外延(MBE)法製備瞭不同溝道結構的GaAs PHEMT材料,採用高分辨率X射線雙晶衍射儀(DCXRD)、應力測試儀和霍爾測試儀對樣品的結晶質量、薄層組分和厚度偏差、應力以及電子遷移率進行瞭分析錶徵.探討瞭外延片應力與溝道結構的相關性,研究瞭溝道失配應力對電性能的影響機理.建立瞭GaAs PHEMT材料熱應力引起電子傳輸特性退化的試驗方法,進行瞭高溫和低溫存儲後材料電性能的縯化行為測試,併歸納瞭熱應力引起材料電特性退化的實驗結果.結果錶明GaAs PHEMT材料經高、低溫存儲併恢複室溫後仍能保持原有電性能,溝道應力對材料電性能的影響主要錶現為失配應力.
설계병용분자속외연(MBE)법제비료불동구도결구적GaAs PHEMT재료,채용고분변솔X사선쌍정연사의(DCXRD)、응력측시의화곽이측시의대양품적결정질량、박층조분화후도편차、응력이급전자천이솔진행료분석표정.탐토료외연편응력여구도결구적상관성,연구료구도실배응력대전성능적영향궤리.건립료GaAs PHEMT재료열응력인기전자전수특성퇴화적시험방법,진행료고온화저온존저후재료전성능적연화행위측시,병귀납료열응력인기재료전특성퇴화적실험결과.결과표명GaAs PHEMT재료경고、저온존저병회복실온후잉능보지원유전성능,구도응력대재료전성능적영향주요표현위실배응력.
