半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
9期
876-880
,共5页
曾传滨%海潮和%李晶%李多力%韩郑生
曾傳濱%海潮和%李晶%李多力%韓鄭生
증전빈%해조화%리정%리다력%한정생
静电放电%电容%封装%传输线脉冲发生器%钳位电路%集成电路
靜電放電%電容%封裝%傳輸線脈遲髮生器%鉗位電路%集成電路
정전방전%전용%봉장%전수선맥충발생기%겸위전로%집성전로
品和SOI静态随机存储器产品上,成功地将这两款产品的ESD防护能力从1000 V提高到了3000 V以上,验证了这种容性封装技术在ESD防护方面的优良性能.
品和SOI靜態隨機存儲器產品上,成功地將這兩款產品的ESD防護能力從1000 V提高到瞭3000 V以上,驗證瞭這種容性封裝技術在ESD防護方麵的優良性能.
품화SOI정태수궤존저기산품상,성공지장저량관산품적ESD방호능력종1000 V제고도료3000 V이상,험증료저충용성봉장기술재ESD방호방면적우량성능.
