表面技术
錶麵技術
표면기술
SURFACE TECHNOLOGY
2010年
4期
8-10
,共3页
磁控溅射%二氧化硅薄膜%光学特性
磁控濺射%二氧化硅薄膜%光學特性
자공천사%이양화규박막%광학특성
采用反应磁控溅射的方法沉积二氧化硅薄膜,研究了二氧化硅薄膜的光学特性,并与用反应离子束溅射方法沉积二氧化硅薄膜进行了对比.实验结果表明:用反应磁控溅射法沉积二氧化硅薄膜,薄膜的折射率、沉积速率主要受反应气体(氧气)浓度的影响,氧气含量超过15%(体积分数)后,溅射过程进入反应模式,沉积速率随氧气浓度增加而降低;入射光波长为630 nm时,薄膜折射率为1.50.对比2种薄膜沉积方法后确定,在二氧化硅薄膜工业生产中,反应磁控溅射方法更为可取.
採用反應磁控濺射的方法沉積二氧化硅薄膜,研究瞭二氧化硅薄膜的光學特性,併與用反應離子束濺射方法沉積二氧化硅薄膜進行瞭對比.實驗結果錶明:用反應磁控濺射法沉積二氧化硅薄膜,薄膜的摺射率、沉積速率主要受反應氣體(氧氣)濃度的影響,氧氣含量超過15%(體積分數)後,濺射過程進入反應模式,沉積速率隨氧氣濃度增加而降低;入射光波長為630 nm時,薄膜摺射率為1.50.對比2種薄膜沉積方法後確定,在二氧化硅薄膜工業生產中,反應磁控濺射方法更為可取.
채용반응자공천사적방법침적이양화규박막,연구료이양화규박막적광학특성,병여용반응리자속천사방법침적이양화규박막진행료대비.실험결과표명:용반응자공천사법침적이양화규박막,박막적절사솔、침적속솔주요수반응기체(양기)농도적영향,양기함량초과15%(체적분수)후,천사과정진입반응모식,침적속솔수양기농도증가이강저;입사광파장위630 nm시,박막절사솔위1.50.대비2충박막침적방법후학정,재이양화규박막공업생산중,반응자공천사방법경위가취.
