CAJ | 학술논문

万方数据

核电子学与探测技术 핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2002年 1期 47-51 ,共5页

郭红霞%龚建成%陈雨生%张义门%周辉%吴国荣%林东升%韩福斌%关颖

곽홍하%공건성%진우생%장의문%주휘%오국영%림동승%한복빈%관영

双层膜结构%剂量增强%粒子输运模拟%相对增强因子雙層膜結構%劑量增彊%粒子輸運模擬%相對增彊因子
쌍층막결구%제량증강%입자수운모의%상대증강인자

首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法.用该方法测量了CMOS器件X射线的相对剂量增强因子RDEF(Relative Dose Enhancement Factor).同时用Monte-Carlo粒子输运方法计算了实验条件下Al/Au/Si、Au/Al/Si结构界面过渡区剂量分布,理论模拟与实验验证,符合较好.
수차재국내제출료일충쌍층막결구상대측량법.용해방법측량료CMOS기건X사선적상대제량증강인자RDEF(Relative Dose Enhancement Factor).동시용Monte-Carlo입자수운방법계산료실험조건하Al/Au/Si、Au/Al/Si결구계면과도구제량분포,이론모의여실험험증,부합교호.