半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2004年
4期
262-263,280
,共3页
邓光华%周旭东%张坤%钟四成
鄧光華%週旭東%張坤%鐘四成
산광화%주욱동%장곤%종사성
CCD图像传感器%高帧频%动态范围
CCD圖像傳感器%高幀頻%動態範圍
CCD도상전감기%고정빈%동태범위
采用三相全帧帧转移结构和常规的CCD工艺,设计并研制了一种高速摄像用256×256元高帧频可见光CCD成像器件.器件光敏元采用MOS结构,尺寸为10μm×10μm,4信号抽头输出,占空比100%.测试结果表明,器件工作波长为0.4～1.1 μm,光灵敏度为0.05 lx(峰值波长处,积分时间40 ms),帧速为500帧/秒,动态范围大于等于54 dB,响应非均匀性小于等于2%.
採用三相全幀幀轉移結構和常規的CCD工藝,設計併研製瞭一種高速攝像用256×256元高幀頻可見光CCD成像器件.器件光敏元採用MOS結構,呎吋為10μm×10μm,4信號抽頭輸齣,佔空比100%.測試結果錶明,器件工作波長為0.4～1.1 μm,光靈敏度為0.05 lx(峰值波長處,積分時間40 ms),幀速為500幀/秒,動態範圍大于等于54 dB,響應非均勻性小于等于2%.
채용삼상전정정전이결구화상규적CCD공예,설계병연제료일충고속섭상용256×256원고정빈가견광CCD성상기건.기건광민원채용MOS결구,척촌위10μm×10μm,4신호추두수출,점공비100%.측시결과표명,기건공작파장위0.4～1.1 μm,광령민도위0.05 lx(봉치파장처,적분시간40 ms),정속위500정/초,동태범위대우등우54 dB,향응비균균성소우등우2%.
