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현대현시
ADVANCED DISPLAY
2005年
12期
44-47
,共4页
低温ITO%直流磁控溅射%光电性能
低溫ITO%直流磁控濺射%光電性能
저온ITO%직류자공천사%광전성능
论述了直流磁控溅射法低温ITO透明导电薄膜的过程中,衬底温度、溅射功率、溅射压强、水蒸气分压对ITO薄膜的光电性能的影响.在通入分压为3×10-5Torr的水蒸气、衬底温度50℃、低功率100w的条件下制备出了光电性能优良的ITO透明导电膜,其方阻为27.5Ω/□,在可见光区平均透过率高于为83%.
論述瞭直流磁控濺射法低溫ITO透明導電薄膜的過程中,襯底溫度、濺射功率、濺射壓彊、水蒸氣分壓對ITO薄膜的光電性能的影響.在通入分壓為3×10-5Torr的水蒸氣、襯底溫度50℃、低功率100w的條件下製備齣瞭光電性能優良的ITO透明導電膜,其方阻為27.5Ω/□,在可見光區平均透過率高于為83%.
논술료직류자공천사법저온ITO투명도전박막적과정중,츤저온도、천사공솔、천사압강、수증기분압대ITO박막적광전성능적영향.재통입분압위3×10-5Torr적수증기、츤저온도50℃、저공솔100w적조건하제비출료광전성능우량적ITO투명도전막,기방조위27.5Ω/□,재가견광구평균투과솔고우위83%.
