量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2006年
3期
416-419
,共4页
季兴桥%黎威志%钟志有%王涛%蒋亚东
季興橋%黎威誌%鐘誌有%王濤%蔣亞東
계흥교%려위지%종지유%왕도%장아동
光电子学%蓝光有机电致发光器件%掺杂%能级匹配%载流子
光電子學%藍光有機電緻髮光器件%摻雜%能級匹配%載流子
광전자학%람광유궤전치발광기건%참잡%능급필배%재류자
采用蓝色发光材料ADN为主体发光材料、BAlq3为掺杂材料,通过改变BAlq3的掺杂浓度制备了结构为ITO/NPB/ADN:BAlq3/Alq3/Mg:Ag的一系列蓝光有机发光器件(OLED).研究了器件各有机层之间的能级匹配和BAlq3的掺杂浓度对载流子注入、传输、复合以及发光色纯度的影响.实验结果表明,空穴阻挡材料BAlq3的掺入显著影响OLED的电流密度、发光亮度、发光效率和发光光谱,当BAlq3的掺杂浓度为25%时,OLED的发光效率为1.0 lm/W,发光光谱的峰值为440 nm,色纯度为(0.18,0.15),未封装器件的半衰期为950小时,器件同时满足了高效率和高色纯度的要求.
採用藍色髮光材料ADN為主體髮光材料、BAlq3為摻雜材料,通過改變BAlq3的摻雜濃度製備瞭結構為ITO/NPB/ADN:BAlq3/Alq3/Mg:Ag的一繫列藍光有機髮光器件(OLED).研究瞭器件各有機層之間的能級匹配和BAlq3的摻雜濃度對載流子註入、傳輸、複閤以及髮光色純度的影響.實驗結果錶明,空穴阻擋材料BAlq3的摻入顯著影響OLED的電流密度、髮光亮度、髮光效率和髮光光譜,噹BAlq3的摻雜濃度為25%時,OLED的髮光效率為1.0 lm/W,髮光光譜的峰值為440 nm,色純度為(0.18,0.15),未封裝器件的半衰期為950小時,器件同時滿足瞭高效率和高色純度的要求.
채용람색발광재료ADN위주체발광재료、BAlq3위참잡재료,통과개변BAlq3적참잡농도제비료결구위ITO/NPB/ADN:BAlq3/Alq3/Mg:Ag적일계렬람광유궤발광기건(OLED).연구료기건각유궤층지간적능급필배화BAlq3적참잡농도대재류자주입、전수、복합이급발광색순도적영향.실험결과표명,공혈조당재료BAlq3적참입현저영향OLED적전류밀도、발광량도、발광효솔화발광광보,당BAlq3적참잡농도위25%시,OLED적발광효솔위1.0 lm/W,발광광보적봉치위440 nm,색순도위(0.18,0.15),미봉장기건적반쇠기위950소시,기건동시만족료고효솔화고색순도적요구.
