北京大学学报（自然科学版）
北京大學學報（自然科學版）
북경대학학보（자연과학판）
ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS PEKINENSIS
2007年
1期
78-81
,共4页
宋睿丰%廖怀林%黄如%王阳元
宋睿豐%廖懷林%黃如%王暘元
송예봉%료부림%황여%왕양원
低噪声放大器%超宽带%正向增益S21%噪声系数
低譟聲放大器%超寬帶%正嚮增益S21%譟聲繫數
저조성방대기%초관대%정향증익S21%조성계수
采用标准0.35 μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3.1～10.6 GHz的超宽带低噪声放大器.从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计.结果表明,通过合适的电路结构和器件参数选择,可以采用0.35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器.在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB,噪声系数为3.5dB,电路的工作电压为2.5 V,电流消耗为4.38 mA.
採用標準0.35 μm SiGe HBT工藝設計瞭工作頻段在3.1～10.6 GHz的超寬帶低譟聲放大器.從寬帶電路和高頻電路設計的器件選擇、電路結構選擇等方麵討論瞭超寬帶低譟聲放大器的設計.結果錶明,通過閤適的電路結構和器件參數選擇,可以採用0.35μm SiGe HBT工藝製備滿足超寬帶繫統要求的低譟聲放大器.在整箇工作頻段內所設計的低譟聲放大器輸入輸齣匹配S11和S22均優于-8dB,譟聲繫數為3.5dB,電路的工作電壓為2.5 V,電流消耗為4.38 mA.
채용표준0.35 μm SiGe HBT공예설계료공작빈단재3.1～10.6 GHz적초관대저조성방대기.종관대전로화고빈전로설계적기건선택、전로결구선택등방면토론료초관대저조성방대기적설계.결과표명,통과합괄적전로결구화기건삼수선택,가이채용0.35μm SiGe HBT공예제비만족초관대계통요구적저조성방대기.재정개공작빈단내소설계적저조성방대기수입수출필배S11화S22균우우-8dB,조성계수위3.5dB,전로적공작전압위2.5 V,전류소모위4.38 mA.
