半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
7期
1422-1427
,共6页
杨祎巍%史峥%严晓浪%陈晔
楊祎巍%史崢%嚴曉浪%陳曄
양의외%사쟁%엄효랑%진엽
光学邻近校正%可制造型设计%动态切分%光刻模型
光學鄰近校正%可製造型設計%動態切分%光刻模型
광학린근교정%가제조형설계%동태절분%광각모형
光学邻近校正(OPC)技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键.目前在OPC中多边形的切分算法均基于配方(recipe),但随着特征线宽减小及版图越来越复杂,用于切分的配方难以覆盖所有的情况;不完备的配方引发或加剧了芯片上的纹波、断线和桥连等现象.论文提出了一种新的基于光刻模型的动态自适应切分算法,根据不同的光刻模型和几何环境可以给出不同的切分,并且可在校正循环中动态改变切分方式和采样点的放置位置.通过90nm工艺下版图设计的验证,这种切分不仅减少了被切分出的小线段(segment)数量的10%~15%,节省了调试切分规则的时间,而且提高了 OPC的质量,使PRV(post RET verification)错误率降低了35%.
光學鄰近校正(OPC)技術已經成為納米級半導體工藝技術中的一箇關鍵.目前在OPC中多邊形的切分算法均基于配方(recipe),但隨著特徵線寬減小及版圖越來越複雜,用于切分的配方難以覆蓋所有的情況;不完備的配方引髮或加劇瞭芯片上的紋波、斷線和橋連等現象.論文提齣瞭一種新的基于光刻模型的動態自適應切分算法,根據不同的光刻模型和幾何環境可以給齣不同的切分,併且可在校正循環中動態改變切分方式和採樣點的放置位置.通過90nm工藝下版圖設計的驗證,這種切分不僅減少瞭被切分齣的小線段(segment)數量的10%~15%,節省瞭調試切分規則的時間,而且提高瞭 OPC的質量,使PRV(post RET verification)錯誤率降低瞭35%.
광학린근교정(OPC)기술이경성위납미급반도체공예기술중적일개관건.목전재OPC중다변형적절분산법균기우배방(recipe),단수착특정선관감소급판도월래월복잡,용우절분적배방난이복개소유적정황;불완비적배방인발혹가극료심편상적문파、단선화교련등현상.논문제출료일충신적기우광각모형적동태자괄응절분산법,근거불동적광각모형화궤하배경가이급출불동적절분,병차가재교정순배중동태개변절분방식화채양점적방치위치.통과90nm공예하판도설계적험증,저충절분불부감소료피절분출적소선단(segment)수량적10%~15%,절성료조시절분규칙적시간,이차제고료 OPC적질량,사PRV(post RET verification)착오솔강저료35%.