2015년 4H-SiC PIN二极管的各向异性迁移率效应 4H-SiC PIN二極管的各嚮異性遷移率效應 4H-SiC PIN이겁관적각향이성천이솔효응

2015년 传感器网络应用的低功耗实时计数器 傳感器網絡應用的低功耗實時計數器 전감기망락응용적저공모실시계수기

2012년 4H-SiC晶体中Vsi本征缺陷研究 4H-SiC晶體中Vsi本徵缺陷研究 4H-SiC정체중Vsi본정결함연구

2012년 InP/InGaAs异质结载流子输运特性的仿真 InP/InGaAs異質結載流子輸運特性的倣真 InP/InGaAs이질결재류자수운특성적방진

2011년 Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除 Si襯底上3C-SiC異質外延應力的消除 Si츤저상3C-SiC이질외연응력적소제

2011년 4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究 4H-SiC材料中刃型位錯的倣真模擬研究 4H-SiC재료중인형위착적방진모의연구

2011년 4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型 4H-SiCn-MOSFET新型反型層遷移率模型 4H-SiCn-MOSFET신형반형층천이솔모형

2011년 一种碳化硅外延层质量评估新技术 一種碳化硅外延層質量評估新技術 일충탄화규외연층질량평고신기술

2010년 SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究 SiC晶體缺陷的陰極熒光無損錶徵研究 SiC정체결함적음겁형광무손표정연구

2010년 XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度 XRD法計算4H-SiC外延單晶中的位錯密度 XRD법계산4H-SiC외연단정중적위착밀도

2010년 XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度 XRD法計算4H-SiC外延單晶中的位錯密度 XRD법계산4H-SiC외연단정중적위착밀도

2009년 Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层 Al摻雜4H-SiC同質外延的緩遲層 Al참잡4H-SiC동질외연적완충층

2008년 异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型 異質柵非對稱Halo SOI MOSFET亞閾值電流模型 이질책비대칭Halo SOI MOSFET아역치전류모형

2008년 考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型 攷慮量子效應的超薄體雙柵肖特基源漏MOSFET電流解析模型 고필양자효응적초박체쌍책초특기원루MOSFET전류해석모형

2008년 动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价 動態應力下超薄柵氧化層經時擊穿的可靠性評價 동태응력하초박책양화층경시격천적가고성평개

2008년 高κ介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型 高κ介質異質柵全耗儘SOI MOSFET二維解析模型 고κ개질이질책전모진SOI MOSFET이유해석모형

2008년 高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响 高k柵介質對肖特基源漏超薄體SOI MOSFET性能的影響 고k책개질대초특기원루초박체SOI MOSFET성능적영향

2008년 4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系 4H-SiC同質外延的綠帶髮光與缺陷的關繫 4H-SiC동질외연적록대발광여결함적관계

2007년 SiC外延工艺中的气体流体模型 SiC外延工藝中的氣體流體模型 SiC외연공예중적기체류체모형

2016년 云创新模式构建要素与实现路径——基于华为公司的案例研究 雲創新模式構建要素與實現路徑——基于華為公司的案例研究 운창신모식구건요소여실현로경——기우화위공사적안례연구

2016년 务实开拓 尽责担当努力夺取高原特色农业现代化建设新胜利 務實開拓 儘責擔噹努力奪取高原特色農業現代化建設新勝利 무실개탁 진책담당노력탈취고원특색농업현대화건설신성리

2016년 "青岛之源、寻根即墨"——浅析即墨古城区的发展与重新建设 "青島之源、尋根即墨"——淺析即墨古城區的髮展與重新建設 "청도지원、심근즉묵"——천석즉묵고성구적발전여중신건설

2016년 东莞市人民医院下呼吸道感染住院儿童呼吸道合胞病毒流行特点分析 東莞市人民醫院下呼吸道感染住院兒童呼吸道閤胞病毒流行特點分析 동완시인민의원하호흡도감염주원인동호흡도합포병독류행특점분석

2016년 荧光光谱法研究盐酸阿霉素与溶菌酶的相互作用 熒光光譜法研究鹽痠阿黴素與溶菌酶的相互作用 형광광보법연구염산아매소여용균매적상호작용

2015년 转型 轉型 전형

2015년 互联网已经改变世界但很多人仍在昏睡 互聯網已經改變世界但很多人仍在昏睡 호련망이경개변세계단흔다인잉재혼수

2015년 对称型钢架及辅助支座组合加固旧桥墩柱施工工法 對稱型鋼架及輔助支座組閤加固舊橋墩柱施工工法 대칭형강가급보조지좌조합가고구교돈주시공공법

2015년 旧桥植筋增大墩柱截面修复偏位和缺陷施工工法 舊橋植觔增大墩柱截麵脩複偏位和缺陷施工工法 구교식근증대돈주절면수복편위화결함시공공법

2015년 融资约束、研发投入与中小上市公司成长性基于PVAR模型的经验证据 融資約束、研髮投入與中小上市公司成長性基于PVAR模型的經驗證據 융자약속、연발투입여중소상시공사성장성기우PVAR모형적경험증거

2011년 Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除 Si襯底上3C-SiC異質外延應力的消除 Si츤저상3C-SiC이질외연응력적소제

2009년 Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层 Al摻雜4H-SiC同質外延的緩遲層 Al참잡4H-SiC동질외연적완충층

2008년 钒掺杂形成半绝缘6H-SiC的补偿机理 釩摻雜形成半絕緣6H-SiC的補償機理 범참잡형성반절연6H-SiC적보상궤리

2008년 钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光 釩受主能級在n型4H-SiC中的深能級瞬態傅裏葉譜和光緻髮光 범수주능급재n형4H-SiC중적심능급순태부리협보화광치발광

2008년 陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响 陷阱效應對4H-SiC MESFET溫度特性的影響 함정효응대4H-SiC MESFET온도특성적영향

2008년 陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响 陷阱效應對4H-SiC MESFET頻率特性的影響 함정효응대4H-SiC MESFET빈솔특성적영향

2008년 4H-SiC MESFET的新型经验电容模型 4H-SiC MESFET的新型經驗電容模型 4H-SiC MESFET적신형경험전용모형

2008년 4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析 4H-SiC肖特基二極管γ射線探測器的模型與分析 4H-SiC초특기이겁관γ사선탐측기적모형여분석

2008년 4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法 4H-SiC射頻MESFET中陷阱參數的提取方法 4H-SiC사빈MESFET중함정삼수적제취방법

2007년 高能量钒注入n型4H-SiC的欧姆接触形成 高能量釩註入n型4H-SiC的歐姆接觸形成 고능량범주입n형4H-SiC적구모접촉형성

2009년 Al掺杂4H-SiC同质外延的缓冲层 Al摻雜4H-SiC同質外延的緩遲層 Al참잡4H-SiC동질외연적완충층

2008년 异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型 異質柵非對稱Halo SOI MOSFET亞閾值電流模型 이질책비대칭Halo SOI MOSFET아역치전류모형

2008년 考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型 攷慮量子效應的超薄體雙柵肖特基源漏MOSFET電流解析模型 고필양자효응적초박체쌍책초특기원루MOSFET전류해석모형

2008년 动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价 動態應力下超薄柵氧化層經時擊穿的可靠性評價 동태응력하초박책양화층경시격천적가고성평개

2008년 高κ介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型 高κ介質異質柵全耗儘SOI MOSFET二維解析模型 고κ개질이질책전모진SOI MOSFET이유해석모형

2008년 高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响 高k柵介質對肖特基源漏超薄體SOI MOSFET性能的影響 고k책개질대초특기원루초박체SOI MOSFET성능적영향

2008년 4H-SiC同质外延的绿带发光与缺陷的关系 4H-SiC同質外延的綠帶髮光與缺陷的關繫 4H-SiC동질외연적록대발광여결함적관계

2007년 纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型 納米呎度全耗儘SOI MOSFET閾值電壓的脩正模型 납미척도전모진SOI MOSFET역치전압적수정모형