半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
6期
614-617
,共4页
邵博闻%刘芸%俞慧月%易伟%张辉
邵博聞%劉蕓%俞慧月%易偉%張輝
소박문%류예%유혜월%역위%장휘
电流舵DAC%低功耗%电流源阵列%匹配误差%带隙基准电压源
電流舵DAC%低功耗%電流源陣列%匹配誤差%帶隙基準電壓源
전류타DAC%저공모%전류원진렬%필배오차%대극기준전압원
基于GSMC 0.18μm CMOS工艺,采用曲率补偿带隙参考电压源和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的NMOS电流源阵列版图布局,实现了一种10 bit 100 MS/s分段温度计译码CMOS电流舵D/A转换器.当电源电压为1.8 V时,D/A转换器的功耗为10 mW,微分非线性误差和积分非线性误差分别为1 LSB和0.5 LSB.在取样速率为100 MS/s,输出频率为5 MHz条件下,SFDR为70 dB,10 bit D/A转换器的有效版图面积为0.2 mm2,符合SOC的嵌入式设计要求.
基于GSMC 0.18μm CMOS工藝,採用麯率補償帶隙參攷電壓源和中心對稱Q2隨機遊動對策拓撲方式的NMOS電流源陣列版圖佈跼,實現瞭一種10 bit 100 MS/s分段溫度計譯碼CMOS電流舵D/A轉換器.噹電源電壓為1.8 V時,D/A轉換器的功耗為10 mW,微分非線性誤差和積分非線性誤差分彆為1 LSB和0.5 LSB.在取樣速率為100 MS/s,輸齣頻率為5 MHz條件下,SFDR為70 dB,10 bit D/A轉換器的有效版圖麵積為0.2 mm2,符閤SOC的嵌入式設計要求.
기우GSMC 0.18μm CMOS공예,채용곡솔보상대극삼고전압원화중심대칭Q2수궤유동대책탁복방식적NMOS전류원진렬판도포국,실현료일충10 bit 100 MS/s분단온도계역마CMOS전류타D/A전환기.당전원전압위1.8 V시,D/A전환기적공모위10 mW,미분비선성오차화적분비선성오차분별위1 LSB화0.5 LSB.재취양속솔위100 MS/s,수출빈솔위5 MHz조건하,SFDR위70 dB,10 bit D/A전환기적유효판도면적위0.2 mm2,부합SOC적감입식설계요구.
